【产品】-45V/±16A的P沟道功率MOSFET RD3H160SP，用于开关类应用

时间： 2019-11-08 来源：ROHM

技术问答

RD3H160SP是ROHM推出的P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式，导通电阻最大值为50mΩ。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，适用于开关类应用。

图1 RD3H160SP功率MOSFET产品图及内部电路图

RD3H160SP功率MOSFET漏源电压最大额定值为-45V，栅源电压为±20V，连续漏极电流最大额定值为±16A，脉冲漏极电流最大额定值为±32A，具有较好的抗浪涌性。且其导通延迟时间td（on)典型值为13ns，上升时间tr典型值为22ns，关断延迟时间td（off)典型值为90ns，下降时间tf典型值为50ns，可满足高频开关电路设计需求。该器件最大结壳热阻可达6.25℃/W，最高结温为150℃，工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。

RD3H160SP功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

驱动电路简单

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

RD3H160SP功率MOSFET应用领域：

开关类应用

RD3H160SP功率MOSFET订购信息：

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