【产品】21-27.5GHz GaAs中功率放大器CHA3660-QQG，采用SMD封装
全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS于近期推出了一款宽带中功率放大器--CHA3660-QQG，该产品工作于21-27.5GHz，输出功率19dBm，具有25dB的增益，可广泛应用于包括军事和商业在内的各类通信系统中，深圳世强为其代理商之一。
CHA3660-QQG是一款三级GaAs中功率放大器，可工作于21-27.5GHz频率范围，较宽的工作带宽能够满足用户的多种需求，具有广泛的应用价值。CHA3660-QQG工作温度为-40℃至85℃，25℃常温条件下,工作电压在4V@Id=180mA 直流漏极偏置电压Vd=4V和漏极偏置电流Id=180mA, 1dB压缩的输出功率为P-1dB=19dBm（21-24GHz），18dBm（24-27.5GHz），饱和输出功率Psat=21.5dBm（21-24GHz），20dBm（24-27.5GHz），PAEsat在14%~20%之间，在工作频带范围内，性能稳定，如图2所示。同时该产品具有高达25dB的线性增益，三阶交调截止点的功率为30dBm，有助于小信号的放大，保证传输质量。
图1：CHA3660-QQG实物图
图2 CHA3660-QQG放大特性图
在工艺和封装方面，CHA3660-QQG采用UMS先进的pHEMT制造工艺， SMD无引脚封装，与采用传统工艺的同类产品相比，具有更大的功率和更稳定的性能。栅极长度0.25μm，通过严格控制栅凹槽的宽度，实现了较好的线性特性。CHA3660-QQG的封装材料采用低压力注塑成型塑料，符合RoHS标准，MSL等级为1。先进的封装工艺为产品的耐热性能提供了保障，CHA3660-QQG最大结温额定值高达175°C，可在-55℃~150℃的温度范围内存储。
CHA3660-QQG的产品特性：
• 工作温度：-40℃~85℃，贮存温度：-55℃~150℃
• 工作频带：21-27.5GHz
• 线性增益：25dB（21-24GHz），22dB（24-27.5GHz）
• 1dB压缩时的输出功率：P-1dB=19dBm（21-24GHz），18dBm（24-27.5GHz）
• 噪声系数：4dB
• 芯片尺寸：4*4*0.9mm
• 封装：16L-QFN4x4 (QQG)
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