基本半导体自研第三代碳化硅肖特基二极管，具有更低VF和QC，实现低导通损耗和开关损耗

时间： 2021-12-28 来源：基本半导体

代理服务

技术支持

采购服务

追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。

基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承了第一代和第二代产品的优点，采用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正向导通压降V_F和结电荷Q_C，可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。

图（1）碳化硅二极管的JBS结构简图

第三代产品缩小了芯片面积，并沿用6英寸晶圆量产，产量将大大提高。

产品参数对比

1、正向导通压降

· 在常温25°C和高温120°C条件下，通过额定电流，测量二极管的V_F值；

· 相比之下，Gen3产品不论是在常温25℃还是在高温120℃的条件下V_F都比Gen1、Gen2更优。

V_F @25℃：Gen1> Gen2 > Gen3

V_F @120℃ ：Gen1> Gen2 > Gen3

2、电源效率对比

碳化硅肖特基二极管应用在1500W电源的PFC电路中（位置如下图）。

测试条件：

输入电压 100V、220V

输出电压 48V输出电流30A

图（3）PFC电路中二极管所在位置

图（4）1500W电源中二极管位置

· 二极管在1500W电源上工作1小时，待热稳定后的满载效率对比；

· 在输入电压220V条件下，Gen3相比Gen1产品满载效率提高0.1% 。

3、温升测试

· 二极管在1500W电源上工作1小时，待热稳定后进行温度对比；

图（5）温升测试平台

图（6）温箱环境

图（7）温度测试点

· 从下图可以看出，虽然第三代产品芯片面积减小了，但温升效果并未因此变差，而是与前两代产品基本持平。

4、通流测试

· 二极管固定在120°C的加热平台，通过额定电流（直流），温度稳定后测量V_F和温度；

· 相比之下，第三代产品的通流温度和V_F比Gen1、Gen2更优：

温度：Gen1> Gen2 > Gen3

VF：Gen1> Gen2 > Gen3

产品优点

综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点：

· 更低V_F：第三代二极管具有更低V_F，同时V_F随温度的增长率也更低，使应用导通损耗更低。

· 更低Q_C：第三代二极管具有更低Q_C，使应用开关损耗更低。

· 更高性价比：芯片面积减小后，第三代二极管具有更高性价比。

· 更高产量：使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台的2倍以上。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由犀牛先生转载自基本半导体，原文标题为:SiCer小课堂 | 更高性价比！基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【技术】碳化硅肖特基二极管的基本特征和应用优势分析，耐压可以达到6000V

本文介绍了碳化硅肖特基二极管器件的结构和特征、正向特性，在介绍恢复特性时，基于基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D20065K的测试结果，与硅快速恢复二极管进行了对比。基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率。

2019-12-31 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

基本半导体重磅发布汽车级全碳化硅功率模块和第三代碳化硅肖特基二极管，尤其适用于新能源汽车

11月27日，2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展。

2021-11-29 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

基本半导体推出DFN5*6和SMBF封装碳化硅肖特基二极管，连续正向电流为4A

基本半导体推出SMBF、DFN5*6两款超薄封装的碳化硅二极管，可用于PD快充、UPS、快充电源以及马达驱动等，性能达到行业先进水平。几乎无反向开关损耗的特性，可显著提高系统能效，并提高功率密度，支持高频开关。同时高工作温度和正温度系数，可以方便并联使用。

2022-04-14 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【产品】破解绝缘和导热痛点！基本半导体力推内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管

近期，基本半导体推出内绝缘型的TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热，可简化生产步骤，提高生产质量和整机的长期可靠性，有效解决产业界痛点问题。内绝缘TO-220封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致，但其背面散热器不再是二极管的阴极，属于悬浮电位。

2020-08-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【应用】碳化硅肖特基二极管用于PFC电路，有效减少开关损耗进一步提高效率

在电源PFC电路中使用碳化硅肖特基二极管有很多好处，基本半导体在本文中进行了论证。首先电源效率得到了显著提高，在其他条件不变时，只需更换二极管就能减小损耗；同时，由于不再需要考虑软开关或无损吸收技术，电源的开发周期进一步缩短，元件数量减少，电路结构也进一步简化；更重要的是它减小了对周围电路的电磁干扰，提高了电源的可靠性，使产品具有更强的竞争力。

2020-06-23 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

B3D20065H碳化硅肖特基二极管

本资料介绍了B3D20065H碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、典型性能和应用领域。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特性，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。

基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,B3D20065H,伺服器,SERVER,SOLAR,开关模式电源,电信电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,不断电系统,太阳的,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES

2024-10-29 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

B2D20065HC1 SiC肖特基二极管

该资料介绍了B2D20065HC1型号的碳化硅肖特基二极管。这种二极管具有极低的反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性以及正的温度系数等特点。它适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。

基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,B2D20065HC1,SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),开关电源（SMPS）,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,POWER FACTOR CORRECTION,电动机驱动器,不断电系统,MOTOR DRIVERS

2022-03-31 - 数据手册 - Rev 0.1 代理服务技术支持采购服务

【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B1D10065H和B1D10065F

基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D10065H和B1D10065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为10A（Tc=155℃时），总电容电荷典型值为29nC，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。

2020-09-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

科普视频 | 碳化硅肖特基二极管的额定电流是如何定义出来的？

使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗，快速稳定实现器件的正反切换，提高产品的效率和降低产品噪音，同时易于改善EMI。今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家科普碳化硅肖特基二极管器件的重要特性参数——额定电流是如何定义出来的？

2024-10-14 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【经验】以碳化硅肖特基二极管B1D20065HC为例说明如何进行散热设计

当SiC JBS器件在高于Tj(max)的温度下运行时，芯片可能发生热击穿损坏。选择冷却系统（散热器）时，需以芯片金属上或芯片中央正下方的温度为准。本文以基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D20065HC为例进行散热设计说明。

2020-03-04 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】碳化硅肖特基二极管器件散热设计指导

本文中国产碳化硅领先厂牌基本半导体将为各位读者讲解碳化硅肖特基二极管器件散热设计，从器件散热选择、器件散热注意事项、器件安装、验证芯片温度等四个角度进行介绍。

2020-08-27 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

B3D60120HC SiC肖特基二极管

该资料介绍了B3D60120HC型号的碳化硅肖特基二极管。这种二极管具有低漏电流、零反向恢复电流和温度独立开关行为等特点，适用于各种电源转换应用。

基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,B3D60120HC,伺服器,SERVER,SOLAR,开关模式电源,电信电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,不断电系统,太阳的,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES

2024-08-30 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

B2D06065E1碳化硅肖特基二极管

该资料介绍了B2D06065E1型号的碳化硅肖特基二极管，属于TO-252-3封装。产品具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。

基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,B2D06065E1,服务器电源,SOLAR,开关模式电源,电信电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,POWER FACTOR CORRECTION,功率因素矫正,不断电系统,太阳的,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES,SERVER POWER SUPPLIES

2023-03-09 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

B2D10065F1碳化硅肖特基二极管

该资料介绍了B2D10065F1型号的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），其具有650V重复峰值反向电压、10A连续正向电流和30nC快速恢复电荷。产品特性包括低漏电电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为和高浪涌电流容量。它适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源供应、功率因数校正和太阳能等领域。

基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,B2D10065F1,服务器电源,SOLAR,开关模式电源,电信电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,POWER FACTOR CORRECTION,功率因素矫正,不断电系统,太阳的,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES,SERVER POWER SUPPLIES

2022-12-15 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

B2D40120H1碳化硅肖特基二极管

该资料详细介绍了B2D40120H1型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。该二极管适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。

基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,B2D40120H1,服务器电源,SOLAR,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,不断电系统,太阳的,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SMPS,模式电源开关,SERVER POWER SUPPLIES

2024-04-11 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持采购服务