【产品】武汉芯源推出的N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，漏源电压可达650V
SJ MOSFET是P&S根据超级结原理设计的一种先进的高压功率MOSFET技术。武汉芯源推出N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，其漏源电压最大为650V（VGS=0V时），连续漏极电流为11A（TC=25℃时），该设备具有快速开关和低导通电阻的特点，特别适用于更高效、更紧凑、LED照明、高性能适配器等应用。
产品特点
非常低的RDS(on)*Qg，损耗极低
出色的雪崩加固技术
快速开关能力
100%雪崩测试
无铅电镀，符合ROHS标准
产品应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
订购信息
绝对最大额定值
（Tj=25℃，除非另有说明）
热特性
电气特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
动态特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
栅极电荷特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
反向二极管特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
注：
受最大结温限制；
脉冲宽度受最大结温限制；
IAS=7.5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25℃。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由牛乃棠翻译自武汉芯源，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N沟道超级结功率MOSFET CWS65R290A，最大漏源导通电阻仅290mΩ
CWS65R290A是武汉芯源推出的一款N沟道超级结功率MOSFET，漏源电压最大为650V，连续漏极电流为15A，最大漏源导通电阻为290mΩ；采用出色的雪崩加固技术；适用于更高效、更紧凑、LED照明、高性能适配器等应用。
武汉芯源功率MOSFET选型表
武汉芯源提供N沟道基于超级结技术的功率MOSFET以下参数选型，漏极电流ID Max（A）:5~75A，漏源耐压VDSS Min（V）:550~700V
|
产品型号
|
品类
|
漏极电流ID Max（A）
|
漏源耐压 VDSS Min（V）
|
导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)
|
导通电阻 RDS(on) Max（Ω)
|
栅极电阻 Rg（Ω)
|
栅极电荷 Rg（nC）
|
反向恢复时间 Trr（nS）
|
封装
|
|
CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
|
8.9
|
215
|
TO-220F-3L
|
选型表 - 武汉芯源 立即选型
CWS7N65A 650V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS7N65ADR,CWS7N65A,CWS7N65AF,CWS7N65AT,CWS7N65AD
CWS50R580A 500V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS50R580AZ,CWS50R580AF,CWS50R580A,CWS50R580AC
CWS5N65A 650V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS5N65AT,CWS5N65AD,CWS5N65A,CWS5N65AF,CWS5N65ADR
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论