【产品】武汉芯源推出的N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，漏源电压可达650V
SJ MOSFET是P&S根据超级结原理设计的一种先进的高压功率MOSFET技术。武汉芯源推出N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，其漏源电压最大为650V（VGS=0V时），连续漏极电流为11A（TC=25℃时），该设备具有快速开关和低导通电阻的特点，特别适用于更高效、更紧凑、LED照明、高性能适配器等应用。
产品特点
非常低的RDS(on)*Qg，损耗极低
出色的雪崩加固技术
快速开关能力
100%雪崩测试
无铅电镀，符合ROHS标准
产品应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
订购信息
绝对最大额定值
（Tj=25℃，除非另有说明）
热特性
电气特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
动态特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
栅极电荷特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
反向二极管特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
注：
受最大结温限制；
脉冲宽度受最大结温限制；
IAS=7.5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25℃。
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本文由牛乃棠翻译自武汉芯源，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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【产品】N沟道超级结功率MOSFET CWS65R290A，最大漏源导通电阻仅290mΩ
CWS65R290A是武汉芯源推出的一款N沟道超级结功率MOSFET，漏源电压最大为650V，连续漏极电流为15A，最大漏源导通电阻为290mΩ；采用出色的雪崩加固技术；适用于更高效、更紧凑、LED照明、高性能适配器等应用。
武汉芯源功率MOSFET选型表
武汉芯源提供N沟道基于超级结技术的功率MOSFET以下参数选型，漏极电流ID Max（A）:5~75A，漏源耐压VDSS Min（V）:550~700V
|
产品型号
|
品类
|
漏极电流ID Max（A）
|
漏源耐压 VDSS Min（V）
|
导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)
|
导通电阻 RDS(on) Max（Ω)
|
栅极电阻 Rg（Ω)
|
栅极电荷 Rg（nC）
|
反向恢复时间 Trr（nS）
|
封装
|
|
CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
|
8.9
|
215
|
TO-220F-3L
|
选型表 - 武汉芯源 立即选型
CWS7N65A 650V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS7N65ADR,CWS7N65A,CWS7N65AF,CWS7N65AT,CWS7N65AD
CWS50R580A 500V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS50R580AZ,CWS50R580AF,CWS50R580A,CWS50R580AC
CWS5N65A 650V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS5N65AT,CWS5N65AD,CWS5N65A,CWS5N65AF,CWS5N65ADR
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
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最小起订量： 10000 提交需求>
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