【产品】100V/23A的N沟道功率MOSFET，静态漏源导通电阻最大为29mΩ
P23LA10SL是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款小型表面贴装型的N沟道功率MOSFET，在VGS=10V, ID = 11.5A时，静态漏源导通电阻最大为29mΩ，导通损耗低，可用于高速脉冲放大器、 负载/电源开关、电源转换器电路等方面。
图1 P23LA10SL封装尺寸图
最大额定值方面，P23LA10SL功率MOSFET漏源电压VDSS 为100V，栅源电压VGSS为±20V，连续漏极电流（DC）ID为23A，总耗散功率最大额定值仅为99W，可靠性高。其导通延迟时间典型值仅为4.5ns，上升时间的典型值为7.4ns，关断延迟时间典型值为31ns，下降时间的典型值为10ns，开关速度快。结壳热阻Rth(j-c)最大仅为1.26℃/W，存储温度和沟道温度范围均为-55～150℃，符合工业级温度要求。
P23LA10SL功率MOSFET产品特性：
漏源电压VDSS 为100V
栅源电压VGSS为±20V
连续漏极电流（DC）ID为23A
静态漏源导通电阻最大为29mΩ
总耗散功率最大额定值仅为99W
P23LA10SL功率MOSFET应用领域：
高速脉冲放大器
负载/电源开关
电源转换器电路
能源管理
电机驱动
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