【产品】采用无铅电镀,低导通电阻的N沟道功率MOSFET RD3L07BBG,规格为60V/115A

2022-09-21 ROHM官网
N沟道功率MOSFET,RD3L07BBG,ROHM N沟道功率MOSFET,RD3L07BBG,ROHM N沟道功率MOSFET,RD3L07BBG,ROHM N沟道功率MOSFET,RD3L07BBG,ROHM

罗姆(ROHM)公司推出了一款采用TO-252封装的N沟道功率MOSFET——RD3L07BBG,该产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,具有低导通电阻等特性。

产品实物图和内部电路图

特点:

●低导通电阻

●无铅电镀;符合RoHS标准

●无卤素


应用:

●开关


绝对最大额定参数(Ta=25℃,除非另有说明):


热阻:


电气特性(Ta=25℃):


栅极电荷特性(Ta=25℃):


体二极管电气特性(源极-漏极)Ta=25℃):


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由小背篓翻译自ROHM官网,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ,适用于开关应用

ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ,漏源电压为200V,导通电阻最大值为55mΩ,持续漏极电流为±45A(Tc=25℃),耗散功率(Tc=25℃)为211W。采用TO-263S封装形式,可用于开关应用。

2022-04-14 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】HSMT8封装的N沟道功率MOSFET RH6P040BH,静态漏源导通电阻仅15.6mΩ

罗姆(ROHM)推出的RH6P040BH是一款N沟道功率MOSFET,该器件具有低导通电阻、高功率封装等特点。在绝对最大额定值(Ta =25℃)方面,其漏源电压为100V,连续漏极电流(VGS=10V)为±40A,耗散功率为59W。

2022-07-05 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】ROHM低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS6R035BH,漏源电压最大值为150V

RS6R035BH是ROHM推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。在Ta=25°C条件下,其漏源电压最大值为150V,连续漏极电流(VGS=10V)最大值为±35A(*1),单脉冲雪崩电流最大值为18A(*3)。

2022-09-19 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX,导通电阻最大仅0.83Ω

R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET,产品漏源电压为600V,连续漏极电流高达±6A,耐压能力强。产品易于并联使用,具有低导通电阻和快速开关的特点,R6006KNX的栅源电压为±20V(静态)或±30V(交流,频率>1Hz),可承受单脉冲雪崩电流为1.1A,可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。

2019-10-27 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

HT8KE6 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书

描述- 本资料为ROHM公司生产的HT8KE6型100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装(HSMT8)等特点,适用于开关电源等领域。

型号- HT8KE6

20230328  - ROHM  - 数据手册  - Rev.001 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX,导通电阻最大仅0.39Ω

R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET,产品漏源电压为600V,连续漏极电流高达±11A,耐压能力强。产品易于并联使用,具有低导通电阻和快速开关的特点,可用于开关类应用。

2019-11-16 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ,导通电阻最大仅0.234Ω

R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V,连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET,产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,具有快速反向恢复时间,快开关速度,低导通电阻的特点,适用于开关类应用。

2019-07-20 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

HT8KE5 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书

描述- 本资料为ROHM公司生产的HT8KE5型号100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装(HSMT8)等特点,适用于开关电源等领域。

型号- HT8KE5

20230302  - ROHM  - 数据手册  - Rev.002 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxKNZ系列,采用TO-3PF封装

R60xxKNZ系列是ROHM推出的漏源电压600V的N沟道功率MOSFET,型号分别包括R6015KNZ、R6020KNZ、R6024KNZ、R6030KNZ、R6035KNZ五个型号,连续漏极电流依次为±15/±20/±24/±30/±35A。该系列产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,对环境友好,采用TO-3PF封装,适用于开关应用。

2020-05-09 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602,结温高达175℃

S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片,漏源电压1200V,连续漏极电流81A,静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A,Tvj=25°C),适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。

2022-05-09 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

HP8KE7 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书

描述- 本资料为ROHM公司生产的HP8KE7型号100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装(HSOP8)等特点,适用于开关电源等领域。

型号- HP8KE7

20230328  - ROHM  - 数据手册  - Rev.001 代理服务 技术支持 批量订货

SP8K41HZG 80V N沟道+N沟道功率MOSFET数据表

描述- 本资料为ROHM公司生产的SP8K41HZG型80V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装(SOP8)、无铅镀层等特点,适用于开关电源等应用。

型号- SP8K41HZG

20191001  - ROHM  - 数据手册  - Rev.001 代理服务 技术支持 批量订货

HP8KE6 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书

描述- 本资料为ROHM公司生产的HP8KE6型100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装(HSOP8)等特点,适用于开关电源等领域。

型号- HP8KE6

20230426  - ROHM  - 数据手册  - Rev.002 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】600V/±9A的N沟道功率MOSFET R6009ENX,具有地导通电阻、开关速度快等特点

罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6009ENX,漏源电压额定值为600V,连续漏极电流额定值为±9A(Tc=25℃),静态漏源导通电阻最大值仅为0.535Ω,导通损耗小且自身发热少,具有开关速度快、低导通电阻和无铅电镀(符合RoHS标准)等特点,是开关应用领域的优秀选择。

2019-11-04 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】60V/±80A的N沟道功率MOSFET RD3L08BGN,100%Rg和UIS测试

RD3L08BGN是罗姆推出的低导通电阻、高功率小型封装的N沟道功率MOSFET,产品不含卤素,采用无铅电镀,符合RoHS标准,且通过了100%Rg和UIS测试,主要用于开关类应用。

2019-11-10 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:¥7.5342

现货: 50

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥2.4531

现货: 100

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:High-Side Switch Driver IC

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:金誉半导体

品类:同步整流器

价格:¥0.8875

现货: 1,000,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.0884

现货:196,984

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥3.9026

现货:70,020

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥4.8391

现货:58,195

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥2.3406

现货:31,360

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.2042

现货:27,370

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.6345

现货:20,200

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥3.9804

现货:15,203

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥7.2114

现货:15,000

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.5888

现货:11,726

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥2.6926

现货:8,020

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面