【产品】150V/40mΩ 氮化镓晶体管GNE1040TB,高栅极电压额定值8V,电源效率达到96.5%
ROHM推出一款栅源电压为8V(最大值),漏源电压为150V的氮化镓晶体管GNE1040TB。其隶属于是EcoGaN™产品系列,通过充分利用低漏源通态电阻和高速开关的优势,有助于提高功率转换效率和减小封装尺寸;即使在1MHz的高频段,电源效率也达到96.5%或更高的效率。此外,高度通用的封装形式可提供出色的散热性能和便于贴装的特性。
GNE1040TB的特点:
1) E-mode
2) 可靠且易于使用的DFN封装
3) 高栅极电压额定值8V(最大值)
4) 开关频率非常高
GNE1040TB的应用:
半桥拓扑
同步降压或升压
AC/DC转换器(次级)
D类音频放大器
IR LED,LD驱动器
GNE1040TB的主要规格:
型号:GNE1040TB
状态:推荐品
封装:DFN5060
包装数量:2500
最小独立包装数量:2500
包装形态:Taping
RoHS:符合
GNE1040TB的特性:
等级:标准
VDS(V):150
IDS(A):10
VGS额定值(V):8
RDS(on)(mΩ):40
Qg(nC):2.0
尺寸(mm):5.0x6.0(t=1.0)
存储温度(最小值,℃):-55
存储温度(最大值,℃):150
GNE1040TB的最大额定值参数(Ta=25℃):
*1:受限于可允许的最大温度
*2:脉冲宽度≤1μs
GNE1040TB的包装信息:
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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