【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6，采用SOT-23-6封装

时间： 2019-11-20 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。在T_A=25°C时，RM5A1P30S6可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-5.1A，漏极脉冲电流最大额定值为-20.4A，最大耗散功率为1.56W，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结至环境热阻典型值为80℃/W。

产品特性
•V_DS =-30V,I_D =-5.1A

R_DS(ON) <46mΩ @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON)<32mΩ @ V_GS=-10V

l 高功率和优秀的载流能力

l 无铅产品

l 表面贴装

应用领域

l PWM应用

l 负载开关

l 电源管理

l 无卤素

l P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM5A1P30S6V

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