【选型】I型三电平IGBT模块30-FT10NIA400S7-LP59F08用于1500V光伏逆变器,全面满足设计需要

2020-01-04 世强
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随着1500V光伏系统的出现,凭借其自身的优势在工程中得到了成功应用。光伏系统电压的提升,可以降低系统的输出电流,从而能够降低元件的损耗和发热量,有利于提升光伏发电系统的功率密度。相应的光伏逆变器技术也随之发生了改变,目前市场上主流的1500V光伏逆变器产品,由于母线电压的提升,为降低功率开关管的电压应力,主功率电路多采用图1所示I型三电平拓扑。

 

图1:三电平光伏逆变器拓扑示意图


VINCOTECH针对1500V三电平逆变器对功率器件的需求推出的高集成度I型三电平的NPC IGBT模块30-FT10NIA400S7-LP59F08(1500V/400A),可以助力175KW高效光伏逆变器产品的设计。


30-FT10NIA400S7-LP59F08 IGBT模块,采用第7代S7 950V IGBT芯片,第7代芯片在相同通流能力下较上一代芯片的尺寸减小25%。这允许在现有的模块外壳中有更高的额定电流,从而产生更高的电流密度,并使饱和电压Vcesat降低约20%,实现高效率设计。另外第7代芯片可以支持更高的结温,达到175℃,温度特性更优。


30-FT10NIA400S7-LP59F08 IGBT模块的内部如图2所示。主要是由二极管和IGBT搭建的I型三电平拓扑,集成度高。同时模块内部集成NTC电阻,更有利于模块温度监测设计。

 

图2:30-FT10NIA400S7-LP59F08电气原理图


30-FT10NIA400S7-LP59F08 IGBT模块,封装及尺寸如图3所示。模块的长宽高尺寸是107.2 mm x 47 mm x 13mm,模块的体积较小,对比分立功率器件,模块节省布局空间和简化散热材料的设计和成本。

图3:30-FT10NIA400S7-LP59F08外观尺寸图

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优选器件方案  -  WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS  - V1.1 PDF 中文 下载

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