【产品】带驱动器的温度扩展性N沟道功率MOSFET XER20411系列，漏-源导通电阻可低至600mΩ@175℃

时间： 2023-04-22 来源：EASII IC

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N沟道功率MOSFET,XER20411,XER20411A,XER20411B

EASII IC推出的带驱动器的温度扩展性N沟道功率MOSFET XER20411，器件集成驱动器，专为DC/DC转换器和开关应用等具有极端可靠性和温度要求的应用而设计。当用于接收相对于GND的控制输入信号时，器件可以用作低侧或高侧开关。在控制输入端和输出端之间，器件集成的电平转换功能可同时具有正补偿和负补偿特性（-40V~+40V）；器件可以由任意5V数字输出引脚直接驱动控制，使其完全成为即插即用的器件。器件内部功率驱动器针对输出晶体管进行了优化，使得用户不需要对驱动器和功率晶体管之间的匹配网络进行任何耗时的优化。

XER20411采用了特殊的设计技术，能够在关键应用中提供精确、稳健和可靠的工作。器件可支持在-60℃~+175℃的温度范围内保证完全正常工作，尽管其也可以在远低于和高于该温度范围正常工作。器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本并易于采用。器件采用支持高温塑封的DIP8外壳封装，也可提供裸片。

器件特点

可作为低侧或高侧开关工作
输入端到输出端的电平转换电压从-40V到+40V
工作温度范围远超于-60℃~+175℃
标准施密特-触发器CMOS输入
即插即用，支持任意5V数字输出引脚直接驱动控制
低漏-源导通电阻：600mΩ@175℃
最大I_D：3A@175℃
导通时间：70nS@175℃
关断时间：50nS@175℃
采用单片集成设计
无闩锁效应
采用支持高温塑封的DIP8外壳封装
也可作为裸片提供

器件应用领域

对可靠性要求至关重要的应用领域
汽车应用
航空航天
井下应用
DC/DC转换器
开关电源
开关控制

最大绝对额定值

器件绝对最大额定参数如下所示：

漏极-源极电压范围为：-1.5~50V；
IN脚&V_DD脚到GND电压范围为：-0.5~6.0V；
PVDD脚到源极电压范围为：-0.5~6.0V;
PVDD脚到V_DD脚电压范围为：-0.5~50V(XER20411A);
PVDD脚到V_DD脚电压范围为:-50V~50V(XER20411B);
存储温度范围为：-70°C~+175℃；
工作结温范围为：-70°C~+200℃；
ESD分类等级为：1kV HBM MIL-STD-883

系统框图

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产品型号	品类	Operating Temperature	Voltage on DRAIN to SOURCE(V)	Operating Junction Temperature Range
XTR20411-BD	晶体管	-60℃ to +230℃	-1.5V~45V	-70℃ to +300℃

选型表 - EASII IC 立即选型

XTR2N0800 High Temperature, 80V N-Channel Power MOSFET Data Sheet

型号- XTR2N0800,XTR2N0825-FE,XTR2N0850-T,XTR2N0825,XTR2N08XX,XTR2N0825-D,XTR2N0850,XTR2N0800 FAMILY,XTR2N0825-TD,XTR2N0850-TD

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