【产品】20V N沟道增强型功率场效应晶体管AM3134，SOT-723封装

时间： 2020-05-28 来源：AiT

技术问答

AIT公司推出的AM3134系列是N沟道增强型功率场效应晶体管，其产品均采用沟槽DMOS技术。这种先进的沟道技术设备非常适合于高效率、快速开关应用，小尺寸表面贴装封装，内部功率损耗低。AM3134使用SOT-723进行封装。具有快速切换、低栅驱动应用、低输入电容等性能特征，在手持仪器，负荷开关，电池保护等领域应用广泛。

AM3134系列增强型场效应晶体管的特征：

● VDS = 20V, ID = 0.8A

RDS(ON) = 200mΩ(Typ.)@VGS = 4.5V

RDS(ON) = 300mΩ(Typ.)@VGS = 2.5V

RDS(ON) = 500mΩ(Typ.)@VGS = 1.8V

RDS(ON) = 800mΩ(Typ.)@VGS = 1.5V

● 快速切换

● 低栅驱动应用

● 低输入电容

● 提供SOT-723封装

AM3134系列增强型场效应晶体管的应用领域：

● 手持仪器

● 负荷开关

● 电池保护

AM3134系列增强型场效应晶体管的引脚构造：

AM3134系列增强型场效应晶体管的引脚描述：

AM3134系列增强型场效应晶体管的订购信息：

AM3134系列增强型场效应晶体管的绝对最大额定参数：

除非另有说明，否则TA = 25℃。

压力过大可能会对设备造成永久性的损坏。这些仅为应力额定值，不代表设备在这些或任何其他超出电气特性所示条件的条件下的功能运行。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。

AM3134系列增强型场效应晶体管的电气特性：

除非另有说明，否则TA = 25℃。

注1：RθJA的值是在器件处于静止空气环境中且最大结温TJ（MAX）= 150°C（初始温度TA = 25°C）时测量的。

注2：最大结温TJ（MAX）= 150°C，使用连接环境热阻

注3：在TA = 25°C的静止空气环境中，使用1平方英寸的垫板，2盎司铜表面安装在FR-4板上。

注4：通过脉冲测试的数据，脉冲宽度≤300 us，占空比≤2％

注5：脉冲宽度受最大结温的限制。

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全部评论（1）

ACE Lv7. 资深专家 2020-05-28

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型号- 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A Fabless IC Design Company for Analog & Mixed Signal Circuits

型号- 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

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S30N85K 30V N-Channel MOSFET

型号- S30N85K

数据手册 - SUMSEMI - V 1.0 - 2023/8/21 PDF 英文下载

S20N60K 20V N-Channel MOSFETs

型号- S20N60K

数据手册 - SUMSEMI - V 1.1 - 2023/8/23 PDF 英文下载

【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

新产品发布时间 : 2020-12-28

S20N45K 20V N-Channel MOSFETs

型号- S20N45K

数据手册 - SUMSEMI - V 1.1 - 2019/5/14 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】40V/90A的N沟道增强型场效应晶体管YJG90N04A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG90N04A，采用PDFN 5X6封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

新产品发布时间 : 2021-02-20

【产品】TO-252封装N沟道增强型场效应晶体管YJD40N04A，利用先进的沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的YJD40N04A型N沟道增强型场效应管，漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V。Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流可达40A，脉冲漏极电流最大额定值150A。器件采用TO-252封装，利用先进的沟槽功率低压MOSFET技术，符合RoHS标准。产品可用于大电流负荷应用，负荷开关，硬开关高频电路，不间断电源等领域。

新产品发布时间 : 2020-11-07

S20N30K 20V N-Channel MOSFETs

型号- S20N30K

数据手册 - SUMSEMI - V 1.1 - 2023/11/6 PDF 英文下载

【产品】30V/9A的N沟道增强型场效应晶体管YJJ09N03A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管YJJ09N03A，SOT-23-6L封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。

新产品发布时间 : 2020-12-18

【产品】专为PWM应用而设计的中压N沟道增强型场效应晶体管YJL05N06AL

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL05N06AL，采用沟槽功率中压MOSFET技术，漏源电压60V，RDS（ON）最大值不超过44mΩ，较低的导通电阻可有效降低开关损耗。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，总栅极电荷典型值仅为26.4nC，非常适用于PWM应用和负荷开关等相关应用。

新产品发布时间 : 2021-02-05