【产品】采用微型SOT-563表面贴装的增强型MOSFET CMLDM3737、CMLDM5757，具有极低通态等效电阻
Central半导体公司推出的CMLDM3737（N沟道）和互补的CMLDM5757（P沟道）是微型SOT-563表面贴装封装中的20V，540mA（N沟道）和20V，430mA（P沟道）MOSFET。它们拥有极低的通态等效电阻RDS（ON）和阈值电压规范，是设计工程师在小封装中寻求节能MOSFET的理想解决方案。主要用于负载开关/电平转换、电池充电、升压开关、电发光背光等应用。其典型输出特性曲线如图一所示。
图一：器件输出特性曲线
CMLDM3737/5757的存储温度范围为-65℃~150℃，操作结温为150℃，能够适应工业需求，提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。它有着较低的漏电流，通态峰值电流高达ID（MAX）为540/430mA。它的RDS（ON）最大值为0.55Ω（N沟道）/0.9Ω（P沟道）@ VGS = 4.5V，使得其拥有较小的开关损耗，它最大发热损耗仅为350mW，拥有较高的能量效率，还具有静电保护能力，ESD保护电压高达2kV，能够提高设备运行时的可靠性。
CMLDM3737/5757的主要特点：
o ESD保护高达2kV
o 低发热损耗：350mW
o 低阈值电压
o 低栅极电荷
o 极低RDS（ON）
CMLDM3737/5757的主要应用：
o 负载开关/电平转换
o 电池充电
o 升压开关
o 电发光背光
图二：样品示意图
技术顾问：坚栋
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