【产品】采用微型SOT-563表面贴装的增强型MOSFET CMLDM3737、CMLDM5757，具有极低通态等效电阻

时间： 2017-11-21 来源：Central（世强编辑整理）

技术问答

Central半导体公司推出的CMLDM3737（N沟道）和互补的CMLDM5757（P沟道）是微型SOT-563表面贴装封装中的20V，540mA（N沟道）和20V，430mA（P沟道）MOSFET。它们拥有极低的通态等效电阻R_DS（ON）和阈值电压规范，是设计工程师在小封装中寻求节能MOSFET的理想解决方案。主要用于负载开关/电平转换、电池充电、升压开关、电发光背光等应用。其典型输出特性曲线如图一所示。

图一：器件输出特性曲线

CMLDM3737/5757的存储温度范围为-65℃~150℃，操作结温为150℃，能够适应工业需求，提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。它有着较低的漏电流，通态峰值电流高达I_D（MAX）为540/430mA。它的R_DS（ON）最大值为0.55Ω（N沟道）/0.9Ω（P沟道）@ V_GS = 4.5V，使得其拥有较小的开关损耗，它最大发热损耗仅为350mW，拥有较高的能量效率，还具有静电保护能力，ESD保护电压高达2kV，能够提高设备运行时的可靠性。

CMLDM3737/5757的主要特点：

o ESD保护高达2kV

o 低发热损耗：350mW

o 低阈值电压

o 低栅极电荷

o 极低R_DS（ON）

CMLDM3737/5757的主要应用：

o 负载开关/电平转换

o 电池充电

o 升压开关

o 电发光背光

图二：样品示意图

技术顾问：坚栋

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全部评论（10）

yingqiming Lv7. 资深专家 2018-04-03

不错
多看 Lv7. 资深专家 2018-01-19

好样的
scjzlq Lv6. 高级专家 2017-12-23

学习了
异乡人 Lv3. 高级工程师 2017-12-05

收藏一下。
金林 Lv4. 资深工程师 2017-12-02

学习一下吧

我就是我 Lv7. 资深专家 2017-11-23

性能不错
Jamie Lv7. 资深专家 2017-11-21

不错
yuyu Lv8. 研究员 2017-11-21

不错，收藏了，留着备用
小燕子吧 Lv4. 资深工程师 2017-11-21

学习一下
Janvense Lv7. 资深专家 2017-11-21

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