【选型】耐压高达300V的大功率MOS管EG2132满足TEC控制器制冷或发热需求,静态功耗小于5μA
TEC控制器客户需要一款合适的驱动驱动四个MOS管组成的全桥,通过改变电流的流向来改变TEC的冷面和热面,从而实现既可以制冷也可以加热的功能,TEC用于客户的血管成像仪,为光电组件进行散热或加热使用,TEC部分的功能框图如下:
图1 TEC控制框图
客户的TEC功率约150W,峰值驱动电流15A左右,一般的TEC控制器在驱动电流和功能上难以满足,根据客户的需求,为客户推荐了屹晶微的EG2132,用两个EG2132驱动四个MOS组成全桥,通过MCU发出PWM信号来控制TEC制冷或发热,EG2132的典型应用电路如下:
图2 EG2132的半桥典型应用
屹晶微推出的EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT栅极驱动专用芯片,该芯片高端的工作电压可达300V,VCC的电源电压范围11V~20V,输出电流能力IO+/- 1/1.5A,静态功耗小于5μA。提供HIN、LIN两个逻辑输入驱动HO、LO组成半桥结构,采用SOP8封装。EG2132的内部结构如下图所示:
图3 EG2132内部结构
综上所述,EG2132具有如下优势:
①高达300V的耐压和1/1.5A的驱动能力,可以应用于大多是驱动场景;
②采用SOP-8封装,体积小,外围电路简单;
③完善的保护机制,可以避免上下管同时导通。
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屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片:死区,低端电源,输出电流,悬浮电源,高端/低端电源欠压保护
产品型号
|
品类
|
悬浮电源(V)
|
低端电源(V)
|
输入逻辑
|
输出电流
|
低端电源欠压保护(V)
|
高端电源欠压保护(V)
|
闭锁保护
|
使能
|
死区(nS)
|
封装
|
EG1160
|
驱动芯片
|
600
|
10-20
|
HIN,LIN
|
2.0/2.5
|
8.5/7.9
|
8.2/7.5
|
有
|
无
|
160
|
SOP16
|
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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