【应用】派恩杰SiC应用评估板应用案例分享
为期3天的国际电力元件、可再生能源展览会已于2021年9月11日顺利闭幕。此次展会,碳化硅和氮化镓成焦点,派恩杰展出的SiC应用评估板也备受关注。例如采用 1700V SiC MOSFET(P3M173K0K3) 代替高压800V Si MOSFET做高压工业辅助电源,效率可以提高1.6%,更难得的是这个器件比硅更便宜,非常受客户喜欢。此外SiC MOSFET 动态性能评估板、SiC MOSFET Buck/Boost 评估板、3.3kW Totem-PolePFC、SiC模块动态性能评估平台等也非常受欢迎。本文将主要分享派恩杰的SiC应用评估板。
高压工业辅助电源
·应用背景一
工业三相供电(400Vac~690Vac)的功率变换系统,其母线电压通常高于600V,采用1700V SiC MOSFET(P3M173K0K3) 代替高压800V Si MOSFET做辅助电源,从而可以使用单管反激电路,简化电路设计,显著提高效率,减小辅助电源体积和重量,有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。
高压工业辅助电源应用
·规格参数
·效率
SiC MOSFET 动态性能评估板
·应用背景二
用于650V/1200V TO247-3L/-4L 分立SiC MOSFET的双脉冲测试,动态性能评估,驱动电路设计以及门极电阻,驱动电压优化设计。
SiC MOS动态性能评估板架构图
·规格参数
·开关损耗
SiC MOSFET Buck/Boost 评估板
·应用背景三
用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的开环功率实验,器件系统效率和温升性能测试,双脉冲测试以及电池充放电系统。最大输入电压可达800Vdc,输出400Vdc,可工作在Buck模式或者Boost模式。
Buck/Boost 电路图
·规格参数
·效率
kW Totem-Pole PFC
·应用背景四
基于派恩杰650V,40mΩ SiC MOS P3M06040K4 开发的可以双向运行的3.3kW 无桥图腾柱功率因素校正电路。采用如图1所示电流连续CCM模式Totem-Pole PFC电路拓扑,系统既可以工作在PFC 整流模式也可以工作在并网逆变模式。
CCM模式Totem-Pole PFC 电路图
·规格参数
·效率
·应用背景五
用于对SiC模块进行双脉冲测试,短路测试以评估模块动态性能,驱动电路设计以及门极电阻,驱动电压优化设计。
SiC 模块动态性能评估平台
·规格参数
·开关损耗
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由奶爸工程师转载自派恩杰,原文标题为:SiC应用评估板,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【应用】车规级SIC MOS产品P3M06040K4用于车载OBC,支持650V的高压,61A的电流
派恩杰P3M06040K4是一款国产符合AECQ101的车规N沟道SIC MOS产品,其支持650V的高压,支持61安培的电流(100摄氏度42A),此外其具有40mΩ的低内阻。其非常适合OBC项目的应用。
应用方案 发布时间 : 2022-05-19
【应用】最高耐压为650V的国产SiC MOS管P3M06300D5助力30W电源砖设计,可提供功率密度和降低成本
在低于100W功率的电源砖模块,一般会采用1/16砖尺寸来设计,电路拓扑一般采用反激的拓扑,本文重点介绍国产派恩杰650V的SIC MOS管 P3M06300D5助力30W 1/16电源砖设计,可提高电源效率,提供功率密度,降低成本,驱动芯片容易匹配,综合成本和性能更优。
应用方案 发布时间 : 2023-03-17
【应用】国产1200V SiC MOS管P3M12080G7助力2kW电源砖模块,效率提升超96%
本文重点介绍派恩杰推出的SiC MOS管P3M12080G7应用于全砖电源模块上,全桥拓扑LLC初级侧逆变使用,额定电压为1200V,导通电阻80mΩ,栅极电荷Qg典型值为54.6nC,漏极持续电流为23A@100℃,可使整机效率高达96%以上。
应用方案 发布时间 : 2023-03-15
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
活动 发布时间 : 2023-04-14
纳芯微汽车电子解决方案 助力汽车电动化和智能化发展
型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X
派恩杰获国家级专精特新“小巨人”企业认定,开启第三代半导体领域新篇章!
派恩杰半导体,自2018年9月3日创立至2024年9月3日,一路走来,风雨兼程,时光帮我们铭记历史,“芯”光帮派恩杰证明辉煌,365个往昔的日日夜夜汇成了派恩杰的六年,2024年9月3日是派恩杰的6周岁生辰,同时又有些特别,派恩杰在六周年之际获得了国家级专精特新“小巨人”企业认定,这标志着派恩杰半导体又一座里程碑的矗立。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-06
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-23
国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验,提供万年使用寿命级别器件
TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法,可以检测、评价MOSFET的栅氧质量,基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商,每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验,建立了精确的寿命预测模型。
原厂动态 发布时间 : 2021-03-05
NOVOSENSE Automotive Solution Enable the Electrification and Intellectualization of xEV
型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSREF30/31XX,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET),覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等,RDS:13-3000毫欧,温度高达175℃
产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Package
|
RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
|
Qgd(nC)
|
Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
选型表 - 派恩杰 立即选型
派恩杰的SiC MOSFET产品顺利通过AC BTI可靠性测试,性能稳定可靠
作为一种更接近实际应用的可靠性测试方法,AC BTI能够更加准确的评估SiC MOSFET芯片的可靠性,在同等试验条件下,平面栅的SiC MOSFET的AC BTI可靠性优于沟槽栅的可靠性。
原厂动态 发布时间 : 2022-10-21
派恩杰携SiC功率器件、芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案亮相2024上海SNEC光伏展
6月13日-6月15日,SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会于上海国家会展中心举办。本次展会,碳化硅功率器件领先品牌派恩杰半导体如约参展,携SiC功率器件、芯片设计路线以及1700V高压器件应用方案与大家在上海见面,为工业应用以及新能源车用方案等提供了一个新的方向。
原厂动态 发布时间 : 2024-07-23
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论