【应用】派恩杰SiC应用评估板应用案例分享

时间： 2021-09-23 来源：派恩杰

技术问答

为期3天的国际电力元件、可再生能源展览会已于2021年9月11日顺利闭幕。此次展会，碳化硅和氮化镓成焦点，派恩杰展出的SiC应用评估板也备受关注。例如采用 1700V SiC MOSFET(P3M173K0K3) 代替高压800V Si MOSFET做高压工业辅助电源，效率可以提高1.6%，更难得的是这个器件比硅更便宜，非常受客户喜欢。此外SiC MOSFET 动态性能评估板、SiC MOSFET Buck/Boost 评估板、3.3kW Totem-PolePFC、SiC模块动态性能评估平台等也非常受欢迎。本文将主要分享派恩杰的SiC应用评估板。

高压工业辅助电源

·应用背景一

工业三相供电(400Vac~690Vac)的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，采用1700V SiC MOSFET(P3M173K0K3) 代替高压800V Si MOSFET做辅助电源，从而可以使用单管反激电路，简化电路设计，显著提高效率，减小辅助电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。

高压工业辅助电源应用

·规格参数

·效率

SiC MOSFET 动态性能评估板

·应用背景二

用于650V/1200V TO247-3L/-4L 分立SiC MOSFET的双脉冲测试，动态性能评估，驱动电路设计以及门极电阻，驱动电压优化设计。

SiC MOS动态性能评估板架构图

·规格参数

·开关损耗

SiC MOSFET Buck/Boost 评估板

·应用背景三

用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的开环功率实验，器件系统效率和温升性能测试，双脉冲测试以及电池充放电系统。最大输入电压可达800Vdc，输出400Vdc，可工作在Buck模式或者Boost模式。

Buck/Boost 电路图

·规格参数

·效率

kW Totem-Pole PFC

·应用背景四

基于派恩杰650V,40mΩ SiC MOS P3M06040K4 开发的可以双向运行的3.3kW 无桥图腾柱功率因素校正电路。采用如图1所示电流连续CCM模式Totem-Pole PFC电路拓扑，系统既可以工作在PFC 整流模式也可以工作在并网逆变模式。

CCM模式Totem-Pole PFC 电路图

·规格参数

·效率

SiC模块动态性能评估平台

·应用背景五

用于对SiC模块进行双脉冲测试，短路测试以评估模块动态性能，驱动电路设计以及门极电阻，驱动电压优化设计。

SiC 模块动态性能评估平台

·规格参数

·开关损耗

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由奶爸工程师转载自派恩杰，原文标题为:SiC应用评估板，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】车规级SIC MOS产品P3M06040K4用于车载OBC，支持650V的高压，61A的电流

派恩杰P3M06040K4是一款国产符合AECQ101的车规N沟道SIC MOS产品，其支持650V的高压，支持61安培的电流（100摄氏度42A），此外其具有40mΩ的低内阻。其非常适合OBC项目的应用。

应用方案发布时间 : 2022-05-19

【应用】最高耐压为650V的国产SiC MOS管P3M06300D5助力30W电源砖设计，可提供功率密度和降低成本

在低于100W功率的电源砖模块，一般会采用1/16砖尺寸来设计，电路拓扑一般采用反激的拓扑，本文重点介绍国产派恩杰650V的SIC MOS管 P3M06300D5助力30W 1/16电源砖设计，可提高电源效率，提供功率密度，降低成本，驱动芯片容易匹配，综合成本和性能更优。

应用方案发布时间 : 2023-03-17

【应用】国产1200V SiC MOS管P3M12080G7助力2kW电源砖模块，效率提升超96%

本文重点介绍派恩杰推出的SiC MOS管P3M12080G7应用于全砖电源模块上，全桥拓扑LLC初级侧逆变使用，额定电压为1200V，导通电阻80mΩ，栅极电荷Qg典型值为54.6nC，漏极持续电流为23A@100℃，可使整机效率高达96%以上。

应用方案发布时间 : 2023-03-15

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

活动发布时间 : 2023-04-14

纳芯微汽车电子解决方案助力汽车电动化和智能化发展

型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X

应用及方案 - 纳芯微电子 - 2023年12月 PDF 中文下载

P3M12020K4 N-Channel Enhancement Mode SiC MOSFET

型号- P3M12020K4

数据手册 - 派恩杰 - Ver. 1.0 - Mar. 2024 PDF 英文下载查看更多版本

SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？

半导体技术的进步，特别是碳化硅，产生了具有高功率密度的器件，并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块，可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。

技术探讨发布时间 : 2024-07-23

国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验，提供万年使用寿命级别器件

TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法，可以检测、评价MOSFET的栅氧质量，基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商，每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验，建立了精确的寿命预测模型。

原厂动态发布时间 : 2021-03-05

派恩杰首推2000V/45mΩ SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核

派恩杰首推2000V SiC MOSFET，成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核，适用于耐压1500V以上的应用，在不增加电流的情况下显著提高了功率，同时又减少了系统成本。

原厂动态发布时间 : 2024-11-16

NOVOSENSE Automotive Solution Enable the Electrification and Intellectualization of xEV

型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSREF30/31XX,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X

应用及方案 - 纳芯微电子 - December 2023 PDF 英文下载

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

派恩杰获国家级专精特新“小巨人”企业认定，开启第三代半导体领域新篇章！

派恩杰半导体，自2018年9月3日创立至2024年9月3日，一路走来，风雨兼程，时光帮我们铭记历史，“芯”光帮派恩杰证明辉煌，365个往昔的日日夜夜汇成了派恩杰的六年，2024年9月3日是派恩杰的6周岁生辰，同时又有些特别，派恩杰在六周年之际获得了国家级专精特新“小巨人”企业认定，这标志着派恩杰半导体又一座里程碑的矗立。

原厂动态发布时间 : 2024-09-06

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃