【经验】如何将EFM8系列MCU的FLASH用作EEPROM?

2018-10-27 世强
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SILICON LABSEFM8系列8位MCU ,性能先进、价格友好,被广泛应用在光模块、电机控制、传感器等产品上。 其中,需要指出的是,EFM8的FLASH,除了用于代码存储外,还可以用于用户数据存储(掉电不丢失),省去外扩EEPROM的麻烦。本文将详细讲述这个方法。

 

一、选择恰当的数据存储空间。

根据EFM8 MCU的特性,它的代码存储,都是从0x0000开始的,因此,当使用EFM8的FLASH存储用户数据时,要使用FLASH后面的空间,如下图1,以EFM8BB21F16为例,从0x3FFF开始,向前放置用户数据。但是,对于早期的C8051F单片机,最后一页,会包含加密字节,该页不方便用于数据读写操作,因此,要从FLASH的倒数第二页开始放置用户数据。

 

图1  EFM8BB21F16的FLASH结构

需要说明的是,EFM8BB21F16还存在一个Nonvolatile Data空间,该空间也可以存放用户数据。

 

二、灵活使用数据读写机制延长FLASH寿命


图2 EFM8BB21F16 FLASH的电气规格


FLASH有个特性,存在擦除寿命,即一般有总擦除次数的限制,当擦除超过限制次数,FLASH就有失效的可能。同样以EFM8BB21F16为例,如上图2,FLASH可擦除总次数最小值为20k次、典型值为100k次。当客户更新数据比较频繁的时候,这个擦除次数,显然就比较危险了。


为了延长FLASH的寿命,我们可以采用“多次写、擦一次”的办法。具体的操作方法是:当客户要存储的数据较少时,可将不同次要写的数据写入同一页的不同的地址中,当这一页写满后再擦除。


另,如果有多页没有被code占用,还可以在多页内进行数据循环操作,如此,可以大大延长FLASH擦除次数。


图3 在一页内多次操作

三、FLASH做EEPROM使用时的注意事项

当用FLASH作EEPROM使用时,需要进行相关辅助操作,否则,在上电瞬间,会导致FLASH上的代码有异常丢失的风险。 具体操作,可以参考内容:【经验】主控MCU芯片使用flash作EEPROM使用时代码异常丢失该如何解决?

 

综上,当客户有掉电存储数据需求的时候,如果能用好EFM8系列MCU上的FLASH,不仅能满足存储数据的需求,还可以做到安全、长寿命,并降低BOM成本、减小PCB面积,完全可以不用外扩EEPROM,能给客户带来实实在在的好处!

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全部评论(7

  • 用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-10-27
    不错呀!
  • washingluo Lv3. 高级工程师 2018-10-27
    这个真的还是可以试试
  • iwen Lv3. 高级工程师 2018-10-27
    不错 不错
  • 编号897570 Lv3. 高级工程师 2018-10-27
    地佐辛
  • 咖啡加奶 Lv8. 研究员 2018-10-27
    学习了
  • 用户56731903 Lv9. 科学家 2018-10-27
    这个不错,要学习下!!!
  • 灰太狼 Lv7. 资深专家 2018-10-27
    不错!学习啦
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