【产品】采用WLCSP封装的100V增强型氮化镓功率晶体管INN100W032A,连续漏极电流最大值为60A

2022-11-12 英诺赛科
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INN100W032A英诺赛科推出的一款100V增强型氮化镓功率晶体管,采用WLCSP封装,尺寸为3.5mmx2.13mm。在Tj=25℃时,漏源电压(连续)VDS最大值为100V,漏源通态电阻RDS(on)最大值为3.2mΩ(VGS=5V,ID=25A时),总栅极电荷设计典型值为9.2nC(VGS=5V,VDS=50V,ID=25A时),连续漏极电流最大值为60A,脉冲漏极电流最大值为230A(25℃,TPULSE=300μs时),输出电荷QOSS典型值50nC(VGS=0V,VDS=0Vto50V时),栅源电压最大额定值为6V、-4V,工作结温和存储温度范围为-40~150℃。

电路示意图及引脚定义

特性

GaN-on-Silicon增强型HEMT技术

极低的栅极电荷

超低导通电阻

非常小的封装尺寸

零反向恢复电荷


应用

同步整流

D类音频

高频DC-DC转换器

通讯基站

电机驱动


关键性能参数(Tj=25℃)

订购信息

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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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