【产品】氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ，具有高效率、高通流、高导热率等特点，最大输出功率120W
氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化镓驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高通流、高导热率等特点。
RM6801SQ全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗,提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。芯片集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在高压重载情况下，系统工作在QR模式，并采用专有ZVS技术，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6801SQ采用专有的驱动技术，易于搭配Emode GaN功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6801SQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。
RM6801SQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo)，逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和ZVS线电压补偿。
功能特点
■支持CCM/QR混合模式；
■专有ZVS技术；
■内置700V高压启动；
■集成X-CAP放电功能；
■支持最大130KHz工作频率；
■内置特有抖频技术改善EMI；
■Burst Mode去噪音；
■低启动电流（2μA），低工作电流；
■集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿；
■集成AC输入Brown out/in功能；
■外置OVP保护；
■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护
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本文由Vicky转载自亚成微电子官网，原文标题为:支持120W快充｜3D封装技术氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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