【产品】漏源电压650V，漏极电流7A的N沟道MOSFET，具有四种封装形式
TMA7N65HYG，TMP7N65HYG ，TMD7N65HYG和TMU7N65HYG是四款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流7A（TC=25ºC），耗散功率最大97W，工作结温-55~+150℃，具有四种封装TO-220F，TO-220，TO-252和TO-251可供选择，该款MOSFET具有开关速度快和开关损耗小，高输入阻抗，驱动功率低，频率特性好的特点，可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。
主要特性：
●快速切换
●100%雪崩测试
●提高dv/dt能力
应用领域：
●开关模式电源（SMPS）
●不间断电源（UPS）
●功率因数校正（PFC）
最大额定值参数（Ta=25℃）：
电气参数（TJ=25℃）：
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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