【产品】800V/7.0A的N沟道功率MOSFET SLP7N80C、SLF7N80C，典型栅极电荷仅40nC
SLP7N80C、SLF7N80C这两款800V N沟道功率MOSFET，采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术，该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
SLP7N80C、SLF7N80C的栅极电荷低，典型值仅40nC，开关速度快，最大漏源导通电阻为1.9Ω（@VGS=10V），非常适合低压应用，如便携式和电池供电产品中的DC/DC转换器、电源管理的高效转换应用。
特点
· 连续漏极电流（TC=25℃）：7.0A
漏源电压：800V
静态漏源导通电阻最大值：1.9Ω@VGS=10V
· 低栅极电荷（典型值40nC）
· 高鲁棒性
· 开关速度快
· 100%雪崩测试
· 提高的dv/dt能力
封装和电路图
极限值（TC=25℃，除非另有说明）
热特性
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