【应用】英诺赛科氮化镓功率芯片助力30-33W迷你快充市场，较传统快充方案功率密度提高一倍
据粗略统计，支持USB PD快充的iPhone手机出货量将近10亿台，这成为第三方快充配件市场迅速发展的原动力。与此同时，为了应对多设备的充电需求，多口快充的优势日益凸显，尤其是在中小功率段，双USB-C接口双快充的充电器越来越得到用户的青睐。
因为对于大多数苹果用户而言，基本都常备iPhone、AirPods、Apple Watch三件套，其中部分用户还是iPhone双机党。如果仅使用单口充电器，要么是准备多个充电器，要么是在充电时依次排队。而如果有了双USB-C口充电器，一次就能满足两台产品同时充电，不仅提升了效率，而且用户也不需要在各个设备之间来回切换，使用起来更加便捷。
得益于双USB-C口的产品优势，有望成为快充市场的下一个风口。据了解，市面上已有安克、联想、倍思、绿联、努比亚等多个知名品牌提前布局的双USB-C口快充充电器，产品一经推出便获得市场好评。同时，在充电头网此前的不完全统计中，已有十家厂商推出了数十款双C口快充，并且大部分产品都应用了氮化镓技术，既保证了产品的输出性能，又兼顾了小体积特色。
作为一家全球领先的氮化镓功率器件IDM原厂，英诺赛科的GaN功率器件可以帮助电源厂商实现更高的产品效率、提升功率密度，并缩小充电器的体积。
INN650DA04便是英诺赛科专门针对中小功率快充推出的氮化镓功率器件。其耐压650V，导阻480mΩ（max），具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点；并且采用了DFN5*6封装，有助于实现小体积、高效率的充电器设计。
目前，英诺赛科已经基于INN650DA04氮化镓器件推出40W双USB-C口快充充电器方案，在保持小巧机身尺寸的前提下，既可以单口盲插输出40W功率为轻薄型笔电、平板等设备充电，又能在双口同时工作时，满足20W+20W输出，为两台iPhone手机快充。
据充电头网了解，此前英诺赛科INN650DA04被广泛应用于30-33W氮化镓快充充电器的设计。得益于InnoGaN技术的优越性，英诺赛科30-33W氮化镓快充与传统快充方案相比，功率密度可提高一倍，最大效率可提升9%左右，损耗更小，体积更小，性价比更高，已经成为30W氮化镓快充的主流选择，并成为了该细分领域的引领者，努比亚、绿联、REMAX、TEGIC等品牌均有应用。
以下是充电头网整理的英诺赛科InnoGaN在30-33W迷你快充市场的部分应用案例：
1、国货之光，努比亚30W氮化镓快充拆解，内置全套国产芯片
努比亚率先行业推出的这款30W氮化镓快充充电器，从产品策略上来看，已经抢占了市场先机。同时产品定位也很明确，除了外观方面主打小巧、精致、便携之外，性能方面也能兼顾手机、平板以及部分笔记本电脑的充电需求。
值得一提的是，努比亚30W氮化镓快充充电器完全基于全套中国芯方案开发。控制器采用南芯SC3021D主控+SC3503同步整流+SC2151A快充协议全套方案；初级侧功率器件来自业界领先的氮化镓IDM企业英诺赛科INN650DA04。
2、拆解报告：绿联30W PD快充氮化镓充电器
绿联30W氮化镓快充机身光滑边角圆润、体积小巧且配备折叠插脚，不仅满足用户对迷你充的喜好，同时十分便携。此外支持QC、AFC、FCP、SCP、PD3.0、PPS多个快充协议，而且具备15V和20V高压档位，不仅可以满足iPhone 13全系列机型快充，还没给平板以及部分笔电充电，性能强悍实用。
这款充电器内部采用两块小PCB板组合焊接，L型结构设计，电容、变压器等器件打胶加固，电容套有绝缘胶套，初次级间设有隔离板，做工可靠。内置英诺赛科INN650DA04二代氮化镓功率器件，搭配采用业内知名厂商南芯半导体SC3021D + SC3503 + SC2151A全套快充方案，用料扎实。
3、REMAX 30W快充拆解，全新迷你氮化镓方案曝光
REMAX这款30W PD快充氮化镓充电器机身简洁，体积小性能强悍。支持QC、AFC、FCP、SCP、PE2.0、PD3.0、PPS多个快充协议，具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A固定电压档位，以及3.3-5.9V3A和3.3-21V1.5A PPS电压档位，整体兼容性很好，满足各大品牌手机快充需求。
这款充电器基于英诺赛科INN650DA04氮化镓功率芯片设计，初次级控制器采用南芯SC3021D和杰华特JW7726B，协议芯片采用英集芯IP2726。模块设有输入输出小板以及连接小板，夹层间打胶保证PCBA模块的稳定性，此外输入端有绝缘板进行隔离，电容使用胶套隔离保护，细节讲究。
4、拆解报告：TEGIC迷你30W PD快充氮化镓充电器
TEGIC 30W快充氮化镓充电器新式、小巧同时兼容市面上所有主流快充协议，满足各类人群对外观、体积和性能的全方面要求。此外充电器还具备5-20V五组齐全固定电压档位以及一组3.3-11V3A PPS电压档位，能够满足手机、平板以及部分笔电充电需求，十分实用。
充电头网通过拆解了解到，充电器采用两块小PCB板组合焊接，L型结构设计。内置南芯SC3021D+SC3503高频QR开关电源方案，以及英诺赛科INN650DA04二代氮化镓功率器件，英集芯IP2723T认证协议芯片，整体用料可靠。
5、拆解报告：科讯迷你33W快充氮化镓充电器
科讯33W迷你氮化镓充电器的功率密度做到了1.16W/cm³，输出支持QC、AFC、FCP、SCP、PD3.0和PPS多个主流快充协议，PD电压档位齐全，整体性能不错，能够满足各大品牌手机、平板等设备快充需求。
科讯33W迷你氮化镓充电器的内部模块为U型结构设计，为了提高整体稳定性，元器件间的缝隙填充硅胶。另外高低压滤波电容套有绝缘胶套，整体做工讲究。控制芯片采用南芯SC3021C+SC3503高频QR氮化镓快充方案，搭配英诺赛科第二代氮化镓功率芯片INN650DA04，以及采用英集芯IP2723T协议芯片。
6、拆解报告：创富源迷你33W 1A1C氮化镓快充充电器
创富源这款迷你33W氮化镓充电器在配备1A1C接口情况下，整体尺寸只有31.5*32.5*34mm，功率密度高达0.93W/cm³，十分小巧，满足消费者对33W迷你充的需求。同时配备的1A1C万金油接口，可适配更多设备，满足各大品牌安卓手机、平板快充需求。
通过拆解了解到，这款充电器采用南芯SC3021D主控搭配英诺赛科INN650DA04二代氮化镓功率器件，以及士兰微SD8525H同步整流芯片组成高频QR开关电源，云矽半导体XPD738协议芯片控制双口输出电压，整体用料主流。
7、聚泉鑫提供方案支持，睿元实业33W 1A1C氮化镓快充拆解
睿元33W氮化镓快充设计风格简约，但产品性能很有亮点，双口支持QC、AFC、FCP、SCP、PE2.0、PD3.0、PPS多个市面主流快充协议，同时兼容华为22.5W快充，也能满足小米、苹果、三星等品牌手机快充需求。
这款充电器采用南芯SC3021D主控搭配英诺赛科INN650DA04氮化镓功率芯片，以及杰华特JW7726B搭配谷峰同步整流管组成开关电源，并采用英集芯协议芯片IP2726控制双口输出电压，实现33W氮化镓快充核心器件的全国产化。
8、拆解报告：古石科技迷你30W氮化镓快充充电器
古石科技这款迷你30W氮化镓充电器十分小巧，腰身拉丝顶部亮面，使用手感别致。充电器兼容QC、AFC、PD3.0、PPS快充协议，具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A五组齐全电压档位，以及3.3-11V3A和3.3-16V2A两组PPS电压档位，整体兼容性很好，满足各大品牌安卓手机、平板快充需求，也能满足iPhone系列手机快充。
充电头网通过拆解了解到，充电器采用三块电路板组合焊接，U型结构设计，内部采用南芯半导体SC3021C+SC3503+SC2151A全套高频QR氮化镓快充方案，搭配英诺赛科第二代氮化镓功率芯片INN650DA04，威兆MOS管同步整流以及输出保护，绿宝石电容进行输入输出滤波，用料可靠。
9、拆解报告：古石科技30W PD快充氮化镓充电器
古石科技30W氮化镓充电器机身设计非常简洁，可方便客户进行差异化定制。充电器兼容QC、AFC、FCP、SCP、PD3.0、PPS快充协议，具备5-20V五组固定电压档位，以及3.3-11V3A和3.3-16V2A两组PPS电压档位，不仅实测对iPhone 13新机充电效果很好，也能充平板以及部分笔电，性能强悍实用。
充电头网通过拆解了解到，这款充电器内置英诺赛科第二代氮化镓功率芯片INN650DA04，并采用了南芯半导体SC3021D+SC3503+SC2151A全套高频QR氮化镓快充方案。
10、拆解报告：古石科技30W 1A1C双口快充充电器
古石科技30W快充充电器兼顾多接口和小体积，兼容QC、AFC、FCP、SCP、PD3.0和PPS快充协议，具备5-20V齐全固定电压档位以及3.3-11V3A、3.3-16V2A两组PPS电压档位，性能强悍，充分满足苹果、华为、小米等知名品牌设备快充需求。
充电头网通过拆解了解到，充电器采用茂睿芯MK2697A主控搭配英诺赛科INN650DA04氮化镓功率芯片，以及同步整流控制器和威兆同步整流管组成开关电源。采用云矽半导体XPD740协议芯片控制双口输出电压。永铭KCX和NPX系列小体积电容滤波，整体用料不错。
11、拆解报告：华科生迷你30W氮化镓快充充电器
华科生迷你30W氮化镓快充整体尺寸只有34*27*27mm，十分小巧。此外兼容QC、AFC、FCP、PD3.0和PPS快充协议，具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A、3.3-11V3A、3.3-16V2A电压档位，超强的功率密度、性能强悍，满足各大品牌手机、平板等设备快充需求。
充电头网通过拆解了解到，充电器PCBA模块由两块小板组成，元件之间打胶导热和绝缘。充电器初级侧采用了茂睿芯MK2697主控搭配英诺赛科INN650DA04氮化镓功率器件，协议部分采用云矽半导体XPD737协议芯片，并使用永铭小体积电容滤波，整体用料不错。
12、拆解报告：爱兰博30W Super GaN快充充电器
爱兰博30W Super GaN充电器拥有小巧的外形，体积相比传统的充电器而言，优势非常明显；采用单口输出设计，可兼容多种主流快充协议，满足苹果、华为、小米、三星等多种主流品牌手机快充；同时30W的功率以及最高20V输出，也可用于轻薄型笔电、平板电脑、游戏机等产品充电。
充电头网拆解了解到，这款充电器内部采用了三块PCB板组合设计的结构，基于英诺赛科第二代氮化镓器件INN650DA04开发，搭配的是华源半导体HY1602+HYHY9012电源方案，协议芯片选用的是富满XPD737，简化外围电路设计。
总结：
从目前的趋势来看，35W-50W功率段的双USB-C口充电器有望成为下一个风口。双USB-C口充电器凭借单口输出时可充轻薄型笔电，双口可以同时让两台iPhone快充的特性，极大程度上缓解了多设备用户的充电焦虑，同时也让充电器的性能得到充分发挥，物尽其用。相比现有的单口充电器而言，双USB-C口更加契合市场的实际需求。
在氮化镓技术的加持下，双USB-C口的充电器能够在更小巧的体积中，实现更高的效率和更大的功率。英诺赛科是全球领先的第三代半导体IDM企业，在氮化镓功率器件领域有着全面的产品布局，器件可用于30W-240W快充产品的开发。借助自身在30-33W迷你氮化镓快充市场的技术积累，英诺赛科可以持续发力35W-50W双USB-C口快充产品市场，将为用户带来更多经典快充产品。
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型号- NSI6602NA-DLAR,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSM 2115,NSI8231,NSI8230,NSM 2117,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSM 2119,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8100,NSI8221,NSI8220,NSI6642C-DSPNR,NSM1051,NSI822XC,NSIP8921W1-DSWR,NSI6602MNF-Q1SWTR,NSD11416-Q1STBR,NSI6602VB-Q1SPNR,NCA3491,NSI6642A-DLAR,NSI6602NB-Q1SWKR,NSA2860_TSSOP,NSD1026V,NSI8221CX-DSWR,NSE34050,NSD12416– Q1,NCA1043B-Q1DNKR,NCA1044N-Q1SPR,NSIP8944W1-DSWR,NSPGL1 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系列,NSD1624-DSPR,NSI6602VA-Q1SWR,NSD1026V-Q1HMSR,NSI8242CX-DSWR,NSI6602MNC-Q1SWTR,NST20,NIRS31,NSREF30XX,NCA9545,NSI6622NA-DLAMR,NSI1042,NSI6611,NCA9546,NSI6622B-DSPNR,NCA9306,NCA9548,NSD12416-Q1SPR,NSI6602MC-Q1SWTR,NSI8242NX,NSD8381-Q1QAIR,NSD8308-Q1HTSXR,NCA9617A,NST1001HA,NSI6602VA-DSWR,NSI1303D2X,NSI6601B-DSWVR,NSD7310-DHSPR,NSI6601,NSD731X-Q1,NCA1057N-Q1SPR,NSR7808GXX,NSD7312-Q1HSPR,NSI6602VB-DLAMR,NSI6602MNF-DSWTR,NSD1026V-DHMSR,NSA3300,NSI6602C-Q1SWKR,NSC2860X,NSI6622NB-Q1SPNR,NCA1051N-DSPR,NSI6611ASC-DSWR,NSI22C11,NSI8230CX-DSWR,NSI6801B-DSPR,NSI6622A-DSPNR,NSD5604NE-DHTSTR,NSI6601MB-Q1SWVR,NST86,NCA1042B/ A-Q1,NIRS31-DSSR,NSI6642C-DSWKR,NSE4250 系列,NSA2200,NSI8262WX,NSI6602NB-DLAMR,NSE11409,NSI8260SX,NSPGD1,NCA1042B-Q1SPR,NSI6602VD-Q1SPNR,NSI6622NC-DLAMR,NSD8306,NSD3608-Q1,NSD731X,NSD8308,NIRSP31V,NSI6602VB-DLAR,NSD73
【产品】泰高新推氮化镓半桥芯片TTHB100NM，采用8x10 QFN低电感封装，传输延迟50ns
泰高推出TTHB100NM是一款集成2颗增强型氮化镓650V 100mΩ氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换；内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。
新产品 发布时间 : 2022-08-04
东科氮化镓合封芯片DK075G助力创富源70W快充实现高效输出，专利谷底锁定QR算法有效降低开通损耗
创富源电子推出了一款双USB-C氮化镓充电器，其内部搭载了东科半导体DK075G氮化镓合封芯片，输出功率最高可达70W，能够满足手机及笔记本电脑的充电需求。DK075G采用了专利的谷底锁定QR算法，在降低开通损耗，提高系统效率的同时，稳定的锁谷底算法避免了音频噪声的引入，大大简化了高功率密度反激电源的设计。
应用方案 发布时间 : 2024-03-21
东科半导体DK065G和DK5V100R10M电源芯片具有低损耗高能效特点，助力曼科进军氮化镓快充市场
东科DK065G、DK5V100R10M这两款芯片分别内置氮化镓以及NMOS两种功率器件，可以取代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，轻松实现更高效率。另外，DK5V100R10M还采用零外围设计，能够进一步缩减PCB占用体积，助力快充实现小型化、轻量化。
应用方案 发布时间 : 2024-05-24
世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计
基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。
应用方案 发布时间 : 2020-02-27
【应用】诚芯微推出35W双C口氮化镓方案满足快充电源市场，内置主控芯片CX1342，具有高集成、小体积、低温升等特点
针对当前的快充电源市场，诚芯微科技推出了一系列氮化镓快充方案，通过将CX1342电源主控芯片搭配同步整流CX7601，结合多款不同功率快充协议芯片，使得快充方案在应用时仅需极少外围器件，采用精简电路完成设计。
应用方案 发布时间 : 2022-11-27
【应用】65W氮化镓快充方案采用CX1342高频准谐振反激控制器，可使空载功耗低于30mW
诚芯微65W氮化镓快充方案开发，1A1C双口，单USB-C口支持65W输出，可为笔记本电脑供电，USB-A口支持18W快充输出，满足传统设备充电需求。
应用方案 发布时间 : 2022-11-24
东科携4款新推合封氮化镓芯片出席2022（春季）亚洲充电展，进行展示并分享相关技术
2022年7月，在即将举办的2022（春季）亚洲充电展上，东科半导体分享并展示4款最新推出的合封氮化镓芯片及相关技术报告。
原厂动态 发布时间 : 2022-07-12
【应用】基于CX2006控制器的33W超MINI氮化镓充电器，功率密度接近2W/CC
诚芯微科技基于CX2006控制器的33W超MINI氮化镓充电器，可驱动氮化镓开关管，减小体积，提高功率密度。通过兼容性测试，33W氮化镓充电器对主流品牌手机均能开启快充，并以最高功率充电。CX2006这款主控芯片还可搭配其他氮化镓器件，满足不同功率段需求。
应用方案 发布时间 : 2022-04-27
【产品】国产DK0xxG系列高性能氮化镓电源芯片，适用于高密度适配器，有效降低系统轻载损耗并提升系统效率
东科半导体DK0xxG系列是一款高度集成了800V GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关电源芯片。通过在漏极和源极电压（VDS）达到其最低值时导通，从而减小开关损耗及改善电磁干扰（EMI）信号。 芯片通过内部快速频率折返功能来调制最小峰值电流，达到快速降低开关频率的目的。
新产品 发布时间 : 2022-03-12
英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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