【产品】80V N沟道沟槽式MOSFET TMB160N08A和TMP160N08A,漏源导通电阻最大仅4.5mΩ

2019-11-22 无锡紫光微电子
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TMB160N08ATMP160N08A无锡紫光微电子推出的80V N沟道沟槽式MOSFET,其中TMB160N08A采用TO-263封装,TMP160N08A采用TO-220封装。产品具有低漏源导通电阻,低栅极电荷等特性。可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流等领域。产品符合RoHS标准认证,通过100%UIS测试。

                                                                                                    图1 产品外观图

特性:

沟槽型功率MOSFET技术

低漏源导通电阻

  • 低栅极电荷

  • 针对高速开关应用进行了优化


  • 应用:

  • ·DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流

  • ·电信和工业中的隔离式DC / DC转换器


绝对最大额定值特性和热特性

标记和封装信息:




授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 静待花开 Lv7. 资深专家 2019-11-23
    学习了
  • 用户96526954 Lv5 2019-11-23
  • 风中羽翼11 Lv6. 高级专家 2019-11-23
    学习
  • 用户92366379 Lv7. 资深专家 2019-11-23
    好东西
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TPD60R1K0C,TMP11N60H,TMA28N50HS,TPA70R1K5M,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TMA45N30H,TPW60R160M,TPB70R135MFD,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TMA8N90H,TMA45N50HS,TTD100N04AT,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TPD65R4K3C,TMD5N30H,TMA12N50HF,TMA8N50HFE,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TMA3N65H,TPV60R240M,TMA3N65L,TMA3N65M,TMA3N65N,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMA3N66H,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMX05P35H,TMA13N65H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TMP7N65HS,TTP115N08A,TMA08N60HS,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TPU70R700C,TMU8N65H,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TMA28N30H,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TPU50R5K4C,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TMA8N65HS,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD3N50H,TMD2N70H,TSG10N06AT,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMU1N50LT,TPU60R360MFD,TMA12N65H,TMU7N65M,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMU7N65H,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA20N50HS,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TMP4N60HS,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPP70R170M,TPC60R700C,TPB65R1K2C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TMP12N60HS,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTU95N68A,TTP95N68A,TPP65R600M,TMU1N50HT,TMA4N60H,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TMD2N65HT,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TPA120R800A,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPP70R700C,TPA60R600MFD,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMA5N65H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA2N50HF,TMU2N55L,TMA10N60N,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPP110R550A,TMA2N65H,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TPD70R1K4C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMP8N50L,TMA11N65H,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TTP50P06AT,TPV100R500A,TMD8N60H,TMP20N60H,TPU55R2K9C,TPD65R400MFD,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TMA6N65HH,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMA4N65M,TMA4N65N,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMA4N65H,TMP1N20H,TSB12N10A,TMA4N65D,TSU12N06A,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TMA3N100HE,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPW70R044MFD,TPB70R400MFD,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TMA6N65HS,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TPU50R1K5C,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60H,TPB65R380C,TMD1N65H,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TPA65R280DFD,TMD8N55HE,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPD50R500C,TPA60R3K4C,TPC70R950C,TMD8N50H,TMA3N50LT,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TPP65R280DFD,TMV20N65H,TSD10N06AT,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TPB65R450CFD,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TMC12N65H,TMD8N53HE,TTD110P03AT,TMZ1N60L,TMV20N60H,TMV11N90H,TMP50N

选型指南  -  无锡紫光微  - 2020.08.21 PDF 英文 下载

无锡紫光微MOS管选型表

无锡紫光微提供以下DT MOS,Multi-EPI Super Junction MOSFET,N-Channel DTMOS,N-Channel Trench MOSFET,P-Channel Trench MOSFET,P-Channel Trench MOSFET,Super-Junction Power MOSFET和Trench MOS的参数选型,ID(A):1~180;RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω):1.3~1290;RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω):1.8~1540。

产品型号
品类
V(BR)DSS(V)
ID(A)
RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
V(GS)thmin(V)
V(GS)thmax(V)
Ciss(pF)
Qg(nC)
封装
TTD30N10AT
N-Channel Trench MOSFET
100
20
22
27
1
2.4
4529
37
TO-252

选型表  -  无锡紫光微 立即选型

【应用】80V N沟道MOSFET TMB160N08A应用于机器人机械手臂电机驱动,导通电阻最大仅4.5mΩ

自动化机械手臂可替代人手精确的抓取物品以及搬运,广泛运用于工业自动化生产设备以及自动服务等行业;有些机器人手臂使用马达和螺线管作为传动装置,如下图,通过4个MOS管分别组成两个桥路,分别控制电机的正转和反转,以实现机械手臂的抓取、旋转、移动等功能。

应用方案    发布时间 : 2020-11-27

【经验】以TMP120N10A为例说明MOSFET并联使用的注意事项

TMP120N10A是无锡紫光微电压100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品阻抗小、开关快,并联使用非常适合于低压、大电流情况下工作,主要应用于开关电源、硬开关、电机驱动、高频电路和不间断电源。本文以TMP120N10A为例,说明MOSFET并联使用需要关注的点。

设计经验    发布时间 : 2020-05-19

【选型】国产N沟道沟槽式MOSFET TMP80N10A在电动截止阀门中设计,可替换FMC80N10R6

考虑到供应保障和降成本需求,化工行业提出来核心器件国产化替代,电控阀门厂商在新设计截止阀门驱动器中采用紫光微TMP80N10A,Vdss/Id 值为100V/80A,封装也为TO-220,但静态参数漏源导通电阻RDSON低,动态参数栅级总电荷小、输入电容Ciss小等特性非常适合做F品牌替代设计。

器件选型    发布时间 : 2020-12-26

【选型】紫光微100V N沟道沟槽式MOSFET应用于1-3KW小功率UPS,Trr低至62ns

UPS主要作用是稳压、稳频、抗电磁干扰和射频干扰、防浪涌冲击等作用来保护后端负载设备的安全用。本文重点介绍在1-3KW小功率UPS中DCDC部分国产化MOS的选型推荐。

器件选型    发布时间 : 2020-12-15

【产品】150V N沟道MOSFET TMD02N15AT,TMU02N15AT,采用沟槽功率技术

无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMD02N15AT,TMU02N15AT,采用沟槽功率技术,具有低RDS(ON),低栅极电荷等特点,漏源电压为150 V,结温和存储温度范围为-55 ºC至 175 ºC,可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流,通信和工业中的隔离式DC / DC转换器等领域。

新产品    发布时间 : 2020-10-04

【产品】150V N沟道沟槽式MOSFET TMD17N15A/TMP17N15A,静态漏源导通电阻最大仅85mΩ

TMD17N15A/TMP17N15A是漏源电压150V的N沟道沟槽式MOSFET,采用TO-252/TO-220封装,符合RoHS标准。产品针对快速开关应用进行了优化,导通电阻和栅极电荷较低。

新产品    发布时间 : 2020-11-27

【产品】漏源电压为30V的N沟道沟槽式MOSFET TTG120N03GT

TTG120N03GT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为30V的N沟道沟槽式MOSFET,采用了沟槽功率MOSFET技术,具有低漏源导通电阻和栅极电荷,且针对快速切换应用进行了优化,适用于DC/DC转换器以及AC/DC转换器。

新产品    发布时间 : 2019-10-05

【产品】30V/120A N沟道沟槽式MOSFET TTD120N03AT、 TTP120N03AT

TTD120N03AT, TTP120N03AT是无锡紫光微电子推出的两款漏源电压最大额定值为30V的N沟道沟槽式MOSFET,连续漏极电流最大额定值为120A,具有先进的技术与较高的性价比,其中 TTP120N03AT采用TO-220封装,TTD120N03AT则采用TO-252封装。

新产品    发布时间 : 2019-10-27

【产品】60V N沟道MOSFET TTB145N06A,TTP145N06A,经过100%UIS测试,采用沟槽功率技术

无锡紫光微电子推出的 N沟道MOSFET TTB145N06A,TTP145N06A,经过100% UIS测试,采用沟槽功率技术,具有低RDS(ON),低栅极电荷等特点,漏源电压为60 V,结温和存储温度范围为-55 ℃至 175 ℃,可应用于 DC / DC和 AC / DC转换器中的同步整流,电信和工业中的隔离式 DC / DC转换器等领域。

新产品    发布时间 : 2020-10-12

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品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel Trench MOSFET

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。

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