【产品】采用SMPD封装的40~1100V HiPerFET和MOSFET，具有高达4500V的陶瓷隔离
LITTELFUSE（力特）推出的采用表面安装式功率器件（SMPD）封装的40V~1100V（VDSS）HiPerFET和MOSFET。SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。 除了更小、更轻外，它还能更好地防止振动和重力，尤其是在用于便携式应用的情况下，为这些器件延长预期寿命并提高可靠性。
功能与特色：
· 超低紧凑型封装形式
· 可通过标准回流工艺进行表面安装
· 封装重量轻
· 高达4500V陶瓷隔离(DCB)
· 较低的封装电感
· 卓越的热性能
· 高功率循环能力
配置：
· 降压
· 升压
· 全桥
· 半桥
· 相臂
· 单相
应用：
· 电池充电器
· 开关和谐振电源
· 直流斩波器
· DC-DC转换器
· 温度和照明控制
· 电机驱动器
· 电动自行车以及电动和混动汽车
· 太阳能逆变器
· 感应加热器
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本文由宝丁转载自Littelfuse，原文标题为:40V - 采用表面安装式功率器件（SMPD）封装的1100V HiPerFET和MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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新产品 发布时间 : 2019-12-06
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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