【产品】采用SMPD封装的40~1100V HiPerFET和MOSFET，具有高达4500V的陶瓷隔离

时间： 2019-10-25 来源：Littelfuse

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HiPerFET,MOSFET,MKE38RK600DFELB,MMIX1F520N075T2

LITTELFUSE（力特）推出的采用表面安装式功率器件（SMPD）封装的40V~1100V（V_DSS）HiPerFET和MOSFET。SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。除了更小、更轻外，它还能更好地防止振动和重力，尤其是在用于便携式应用的情况下，为这些器件延长预期寿命并提高可靠性。

功能与特色：

· 超低紧凑型封装形式

· 可通过标准回流工艺进行表面安装

· 封装重量轻

· 高达4500V陶瓷隔离(DCB)

· 较低的封装电感

· 卓越的热性能

· 高功率循环能力

配置：

· 降压

· 升压

· 全桥

· 半桥

· 相臂

· 单相

应用：

· 电池充电器

· 开关和谐振电源

· 直流斩波器

· DC-DC转换器

· 温度和照明控制

· 电机驱动器

· 电动自行车以及电动和混动汽车

· 太阳能逆变器

· 感应加热器

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【产品】带快速本征二极管的100V~1200V N通道MOSFET（HiPerFET ）Polar™系列

Polar™系列是Littelfuse推出的离散式MOSFET，Polar™ HiPerFET将Polar标准产品系列的优势与更快速的体二极管相结合，缩短了反向恢复时间（trr），因此适用于相移桥电机控制和不间断电源（UPS）应用。

2019-12-06 - 新产品代理服务技术支持采购服务

IXFN38N100Q2 HiPerFET功率MOSFET数据表

描述- 该资料介绍了IXFN38N100Q2型号的HiPerFETTM功率MOSFET的特性。它是一种增强型模式、雪崩额定、低栅极电荷（Qg）、低内阻（Rdson）的器件，适用于高dV/dt和高电流应用。

型号- IXFN38N100Q2

05/08 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFN62N80Q3 Q3级HiperFET功率MOSFET数据表

描述- 本资料介绍了IXYS公司的IXFN62N80Q3型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有高电压、低导通电阻和快速恢复特性，适用于各种高压和高电流应用。

型号- IXFN62N80Q3

1/20 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFH46N60X2A X2级HiPerFET™功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Littelfuse公司的IXFH46N60X2A型号的HiPerFETTM功率MOSFET。该器件具有600V的断态电压（VDSS），最大漏极电流为46A，导通电阻RDS(on)小于69毫欧姆。它适用于各种高功率应用，包括开关模式和共振模式电源、DC-DC转换器、PFC电路、交流电和直流电机驱动、机器人和伺服控制。

型号- IXFH46N60X2A

4-19-23 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFX 90N30 IXFK 90N30 HiPerFET™ Power MOSFETs

描述- 本资料介绍了IXFX 90N30和IXFK 90N30两款HiPerFET Power MOSFET的特性。这些器件具有低导通电阻（RDS(on)），适用于高电流应用，并具备快速恢复特性。资料提供了最大额定值、典型工作条件下的电学参数、热阻、电容特性和栅极电荷曲线。

型号- IXFX90N30,IXFK90N30,IXFX 90N30,IXFK 90N30

12/01 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFH14N80 IXFH15N80 HiPerFET™ Power MOSFETs

描述- 该资料介绍了IXFH14N80和IXFH15N80两款HiPerFET Power MOSFET的特性。这些器件属于增强型模式，具有高dv/dt和高HDMOS工艺的低RDS(on)，适用于各种电源转换应用。

型号- IXFH 15N80,IXFH 14N80,IXFH14N80,IXFH15N80

12/02 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFB44N100P 1000 V、220 mΩPolar™HiPerFET™功率MOSFET

描述- 本资料为IXFB44N100P型MOSFET的数据手册，详细介绍了该产品的技术规格、特性曲线、封装尺寸等。该MOSFET是一款高压、低导通电阻的增强型N沟道功率场效应晶体管，适用于开关电源和电机控制等领域。

型号- IXFB44N100P

06/08/2023 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFN 80N50 HiPerFET™ Power MOSFETs Single Die MOSFET

描述- 本资料介绍了IXFN 80N50型功率MOSFET的特性，包括其最大额定值、电学特性、封装尺寸和典型应用。该器件适用于高电压、大电流的应用，具有低导通电阻和高开关速度。

型号- IXFN 80N50,IXFN80N50

12/03 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFN210N20P Polar HiPerFET Power MOSFET

描述- 该资料介绍了IXFN210N20P型号的Power MOSFET（功率MOS场效应晶体管）的特性、最大额定值和应用领域。它是一种N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种电源转换和驱动应用。

型号- IXFN210N20P

2019/04/02 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFN44N100P 1000 V、220 mΩPolar™HiPerFET™功率MOSFET

描述- 本资料为IXFN44N100P MOSFET的数据手册，详细介绍了该产品的技术规格、特性曲线、封装尺寸等内容。该MOSFET具有高耐压（1000V）、低导通电阻（220mΩ）等特点，适用于DC-DC转换器、电池充电器、高速电源和开关模式及谐振式切换应用。

型号- IXFN44N100P

05/01/2023 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFK94N50P2 Polar2 HiPerFET Power MOSFET

描述- 该资料详细介绍了IXYS公司的两款功率MOSFET产品——IXFK94N50P2和IXFX94N50P2。这两款产品具有高电压（500V）、大电流（94A）的特点，适用于开关模式电源、直流转换器、电池充电器等领域。

型号- IXFX94N50P2,IXFK94N50P2

2019/04/02 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFN180N10 HiPerFET Power MOSFET

描述- 本资料介绍了IXFN180N10型HiPerFETTM功率MOSFET的特性。该器件具有高电流承载能力（ID25=180A），低导通电阻（≤8mΩ），适用于高速开关应用，并具备快速内建整流器功能。

型号- IXFN180N10

2019/04/02 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFL44N100P 1000 V、240 mΩPolar™HiPerFET™功率MOSFET

描述- 本资料为IXFL44N100P型MOSFET的数据手册，详细介绍了该产品的技术规格、特性曲线、封装图和应用范围。该产品是一款高压、低导通电阻的功率MOSFET，适用于开关模式电源、电机控制等领域。

型号- IXFL44N100P

05/01/2023 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

IXFR 180N10 HiPerFET™ Power MOSFETs ISOPLUS247™

描述- 本资料介绍了IXFR 180N10型号的HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM。该器件具有高功率耗散能力、隔离背表面安装和高电隔离电压（2500V）。它采用HDMOSTM工艺制造，具备低导通电阻和快速恢复特性，适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关电源、直流斩波器和交流电机控制等领域。

型号- IXFR 180N10,IXFR180N10

7/00 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务