【产品】漏源电压为-60V的P沟道增强型MOSFET PJQ1905，连续漏极电流为-500mA
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN 3L封装的P沟道增强型MOSFET—PJQ1905，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-60V，连续漏极电流为-500mA，采用先进的沟槽工艺技术，专为开关负载、PWM应用等设计。
产品外观和示意图
特点：
漏源导通电阻RDS(ON) <4Ω（VGS=-10V，ID=-500mA）
漏源导通电阻RDS(ON) <6Ω（VGS=-4.5V，ID=-200mA）
漏源导通电阻RDS(ON) <13Ω（VGS=-2.5V，ID=-50mA）
先进的沟槽工艺技术
专为开关负载、PWM应用等设计
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
外壳：DFN 3L 封装
端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.00004 盎司，0.0011 克
最大额定参数和热参数(TA=25℃，除非特别说明)：
电气特性（TA=25℃，除非特别说明）：
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