【产品】漏源电压为-60V的P沟道增强型MOSFET PJQ1905，连续漏极电流为-500mA

时间： 2022-04-15 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用DFN 3L封装的P沟道增强型MOSFET—PJQ1905，在T_A=25℃的条件下，其漏源电压为-60V，连续漏极电流为-500mA，采用先进的沟槽工艺技术，专为开关负载、PWM应用等设计。

产品外观和示意图

特点：

漏源导通电阻R_DS(ON) <4Ω（V_GS=-10V，I_D=-500mA）

漏源导通电阻R_DS(ON) <6Ω（V_GS=-4.5V，I_D=-200mA）

漏源导通电阻R_DS(ON) <13Ω（V_GS=-2.5V，I_D=-50mA）

先进的沟槽工艺技术

专为开关负载、PWM应用等设计

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：DFN 3L 封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.00004 盎司，0.0011 克

最大额定参数和热参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

电气特性（T_A=25℃，除非特别说明）：

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