【产品】20V/100mA增强型N沟道MOSFET裸片,栅极驱动漏电流1μA,专应用于高速脉冲放大器和驱动器等场合

2018-11-07 Central Semiconductor
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。


CP361X-CEDM7001CP361R-CEDM7001是Central Semiconductor公司推出的增强型N沟道MOSFET裸片,其漏源电压为20V,栅源电压为10V,连续漏极电流为100mA,tp =10μs测试条件下峰值漏极电流可达到200mA。CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的栅极驱动漏电流均为1μA,损耗低,温升小,有利于提升系统效率。栅极导通电压范围为0.6V~0.9V, 在VGS=4.0V, ID=10mA条件下其导通内阻典型值只有0.9Ω,栅极总电荷为0.566nC,低导通电阻和栅极电荷特性有着较低的导通损耗,可应用于高速脉冲放大器和驱动器等场合。

图1 CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片示意图


CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的尺寸大小为14.2 x 14.2 MILS,厚度分别为5.5MILS和3.9MILS。其在VDD=3.0V, VGS=2.5V, ID=10mA的条件下,导通时间为50ns,关断时间为75ns,导通和关断时间快可减小实际应用中的波形失真;其操作和储存结温温度范围为-65~150℃,工作温度范围很广,能够满足恶劣环境工作要求,降低热故障。

图2  CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片特性曲线图

 

CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的产品特性:

•漏源电压20V

•连续漏极电流100mA

•饱和导通内阻0.9Ω

•栅极电荷0.16nC

•导通时间50ns

•关断时间75ns

 

CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的主要应用:

•高速脉冲放大器

•驱动器

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  • 佳琦 Lv5. 技术专家 2018-11-07
    学习中
  • Harlin Lv5. 技术专家 2018-11-07
    收藏了慢慢看
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描述- 本指南介绍了Central Semiconductor公司提供的裸片产品,包括标准裸片器件和定制服务。指南涵盖了小信号晶体管、MOSFET、双极性功率晶体管、二极管、保护器件、整流器和晶闸管等。指南详细介绍了产品的编号、包装方式、测试能力和定制服务,并提供了在线产品目录和报价请求信息。

型号- CP373-CTLDM303N 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2019/10/10  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 选型指南 代理服务 技术支持 批量订货

罗姆集团综合产品目录

型号- DTC143TE3,KA2004-H05N20A,ML62Q20XX,RCJ220N25,SML-S13UT,DTC143TEB,RSX101VYM30,SDR,R6002JND4,BD60A00NUX,RB238NS150,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,MG6405WZ,BD00HC5WEFJ-M,SML-811UT (A),SML-010VT,BD94130EFV-M,DTA124XM,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,RB298T100,DTC143TCA,RSS060P05,BD71L4LG-1,SFR,BR25A512,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,BD6995FV,KD2002-G0JB10A,BU23TD2W,SML-S13VT,BU97941FV,RQ5L015SP,BH7673G,SML-811UT (C),BD52XXG-2C,BD6046GUL,RGW60TS65HR,SML-D12Y3W,BM6241FS,MH2206WZ,BD63521EFV,BU94702AKV,SML-S13PT,RB168MM200,DTC144WCA,BD22621G-M,SLI-343URC,RS6R035BH,RGT20NL65,DTD123TC,DTA015TUB,BD750L5FP-C,BM521Q25F,R8003KNX,BD52XXG-1 SERIES,SML-D12D8W (C),DTA023YEB,UCR006,BD95514MUV,BD9S200MUF-C,SML-H10PD2B,DTD123TK,RFN6T2D,IMX25,R6000ENH,SML-S13RT,BU64253GWZ,BD70GC0VEFJ-M,BR93HXX-2C系列,BD52XXG-2M,RBR2LAM30A,CSL0902DT (C),RBR5L30B,RBR5L30A,RSX501LAM20,RCX300N20,KD2003-F0FW00A,BH76363FV,RQ1E075XN,TFZV,RF4G060AT,BD83A04EFV-M,BV1LC085EFJ-C,BU2394KN,SML-A12MT 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SERIES,RB168MM100,BD8314NUV,BD34700FV,BD9107FVM,BD5466GUL,RF4E080BN,DTC144VCA,DAP202FM,SML-Z14YT (C),BR25HXXX-2C系列,BA05CC0W,RF6G035BG,UT6KE5,SML-D13FW (C),BD60HC0VEFJ-M,BM2P134EF,BD00GA5VEFJ-M,BU1JTD3W,BD60GA5VEFJ-LB,BD52XXNVX-2C,SML-D15YW (C),BM2P137TKF,MMBZ27VCLY,BU90005GWZ,DTA123YM,RGWX5TS65D,LM358,ML62Q1714C,BD18HC5WEFJ-M,BD16950EFV-C,KD3004-TQFW00A,RBR2LAM40A,DTC114WUA,BD00EA5W,UT6KC5,BD18340FV-M,LM324,ML62Q1713C,MCR10,RQ3G110AT,MNR12,MNR15,MNR14,2SCR586J,MNR18,BM6242FS,BU28SA4WGWL,KA2003-B35N00A,BD15HA5WEFJ-M,MH2205WZ,RFS30TZ6S,LAP-601DB,LM339,BU7495,CSL1101WBDW,BD63536FJ,MNR02,QS6Z5,MNR04,STM 331U,BU1JTD2W,MCR18,RBR2L60B,DTA143EE3,R8009KNX,RBR2L60A,BRCH064GWZ-3,BSM600D12P3G001,BD8312HFN,SML-P14RW,RSX201VYM30,RQ5E070BN,RBR1LAM40A,BD82028FVJ,SCT4045DRHR,RB088BGE100,MMBZ5V6ALY,UT6KB5,BD9S231NUX-C,RGT8NS65D,RSJ151P10,BA25BC0W,DTA143EEB,ML610Q306,RGWS60TS65D,BM2P134QF,ML610Q305,ML610Q300,BD9P155MUF-C,LM393,BD4271EFJ-C,BD3020HFP,BD18398EUV-M,BD12KA5W,DTC013ZUB,

12.2023  - ROHM  - 选型指南  - 2024版 代理服务 技术支持 批量订货

Central Semiconductor(中央半导体) 40年专注创新设计与制造 世界顶级分立器件品牌

描述- 美国中央半导体公司(Central Semi)是一家专注于分立半导体产品的制造商,提供高品质、高可靠性的产品。公司成立于1974年,总部位于纽约。主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管和多分立器件模块(MDMs)。产品符合ISO9001:2008认证和RoHS2、REACH要求,提供多种封装形式,包括裸片方式。产品参数可定制,提供SPICE模型、环境数据及ATR数据,交货率高达99.8%。产品广泛应用于替代能源、照明、工业、消费、网络和医疗等领域。

2016年08月18日  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】1200V/43A SiC功率MOSFET裸片S4603,静态漏源导通电阻仅36mΩ

S4603是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片;在Tvj=25℃条件下,RDS(on)典型值仅为36mΩ(VGS=18V, ID=21A);可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。

2022-06-22 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

高可靠性分立半导体手册

型号- CP127-H2N6300-CM,CP318V-H2N5682-CM,EX2N5682,CMHD4448,CEN1234,JXLCMHD4448 TR,2N6300

0922  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 商品及供应商介绍  - Version:R6 代理服务 技术支持 批量订货

Littelfuse力特功率半导体及驱动产品介绍 | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会

描述- Littelfuse公司展示了其广泛的功率半导体产品线,包括功率半导体、低中压晶闸管、双极性模块、IGBT模块、高压功率器件、门驱动器、固态继电器、碳化硅器件、离散IGBT和MOSFET、裸片等。产品涵盖从毫瓦到吉瓦的应用,提供多种技术解决方案和定制服务。

型号- IX_600,IX4351NE

2021.3.26  - LITTELFUSE  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 批量订货

裸模产品指南

型号- CPZ25-H-1N4743A-WR,CPQXX,CPDXX,CPSXX,1N4743A,2N3439,CPZXX,CEN-KC-1234,CPXXX,CP310-2N3439-CT

2020/3/31  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 商品及供应商介绍  - R1 代理服务 技术支持 批量订货

S4503 N沟道SiC功率MOSFET裸片

描述- 本资料为ROHM公司生产的S4503型号碳化硅(SiC)功率MOSFET裸片型器件的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、直流/直流转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。

型号- S4503

9.Feb.2022  - ROHM  - 数据手册  - Rev.001 代理服务 技术支持 批量订货

S4103 N沟道SiC功率MOSFET裸片数据表

描述- 本资料为ROHM公司生产的S4103型号碳化硅(SiC)功率MOSFET裸片型器件的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。

型号- S4103

14.Jun.2018  - ROHM  - 数据手册  - Rev.001 代理服务 技术支持 批量订货

适用于电源应用的MOSFET产品简介

描述- 该资料介绍了Central Semiconductor公司推出的适用于高压、快速切换应用的功率MOSFET产品。这些器件具备高电压能力、极低的rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷,以实现最佳效率。产品提供表面贴装和通孔封装选项,以及裸片形式。

型号- CP401-CDM4-600LR,CP399-CDM11-600L,CDM22012-800LRFP,CDM12-800LR,CP393-CDM12-800L,CDM4-600LR,CDM22011-600LRFP,CDM7-600LR,CDM2206-800LR,CDM11-600LR,CP400-CDM7-600LR

0520  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 数据手册  - R0 代理服务 技术支持 批量订货

【EOL】Central Semiconductor CP372晶圆工艺已停产,并由CP403晶圆工艺产品/工艺变更通知(PCN#187)取代

描述- **PCN #187** 通知日期:2020年7月23日 - **受影响产品/工艺**:CP372芯片工艺,N-通道MOSFET晶圆和裸片。 - **变更范围**:CP372晶圆工艺已被停用,并由CP403晶圆工艺取代。 - **变更原因**:为提高制造工艺控制和器件性能,确保产品供应不间断。 - **变更影响**:CP403晶圆工艺满足所有受影响器件的电规格。 - **认证**:CP403芯片工艺通过所有相关测试。 - **变更生效日期**:现有CP372库存将售罄为止。 - **样品可用性**:请联系销售人员或制造商代表获取样品。

型号- CP372,CXDM6053N,CP372-WN,CP372-CT,CP403

July 23, 2020  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 产品变更通知及停产信息  - R0 代理服务 技术支持 批量订货
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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

粘结钕铁硼磁铁定制

可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,

最小起订量: 1 提交需求>

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