【产品】20V/100mA增强型N沟道MOSFET裸片，栅极驱动漏电流1μA，专应用于高速脉冲放大器和驱动器等场合

时间： 2018-11-07 来源：Central Semiconductor

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MOSFET裸片,增强型N沟道MOSFET裸片,CP361R-CEDM7001,CP361X-CEDM7001

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。

CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001是Central Semiconductor公司推出的增强型N沟道MOSFET裸片，其漏源电压为20V，栅源电压为10V，连续漏极电流为100mA，t_p =10μs测试条件下峰值漏极电流可达到200mA。CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的栅极驱动漏电流均为1μA，损耗低，温升小，有利于提升系统效率。栅极导通电压范围为0.6V~0.9V，在V_GS=4.0V, I_D=10mA条件下其导通内阻典型值只有0.9Ω，栅极总电荷为0.566nC，低导通电阻和栅极电荷特性有着较低的导通损耗，可应用于高速脉冲放大器和驱动器等场合。

图1 CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片示意图

CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的尺寸大小为14.2 x 14.2 MILS，厚度分别为5.5MILS和3.9MILS。其在V_DD=3.0V, V_GS=2.5V, I_D=10mA的条件下，导通时间为50ns，关断时间为75ns，导通和关断时间快可减小实际应用中的波形失真；其操作和储存结温温度范围为-65~150℃，工作温度范围很广，能够满足恶劣环境工作要求，降低热故障。

图2 CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片特性曲线图

CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的产品特性：

•漏源电压20V

•连续漏极电流100mA

•饱和导通内阻0.9Ω

•栅极电荷0.16nC

•导通时间50ns

•关断时间75ns

CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001增强型N沟道MOSFET裸片的主要应用：

•高速脉冲放大器

•驱动器

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佳琦 Lv5. 技术专家 2018-11-07

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Harlin Lv5. 技术专家 2018-11-07

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描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

2024/5/16 - 基本半导体 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

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型号- CP373-CTLDM303N 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2019/10/10 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

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12.2023 - ROHM - 选型指南 - 2024版代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】1200V/43A SiC功率MOSFET裸片S4603，静态漏源导通电阻仅36mΩ

S4603是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片；在Tvj=25℃条件下，RDS(on)典型值仅为36mΩ（VGS=18V, ID=21A）；可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。

2022-06-22 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

high reliability discrete semiconductors BROCHURE

型号- CP127-H2N6300-CM,CP318V-H2N5682-CM,EX2N5682,CMHD4448,CEN1234,JXLCMHD4448 TR,2N6300

0922 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 商品及供应商介绍 - Version:R6 代理服务技术支持现货查询批量订货

Bare Die Product Guide

型号- CPZ25-H-1N4743A-WR,CPQXX,CPDXX,CPSXX,1N4743A,2N3439,CPZXX,CEN-KC-1234,CPXXX,CP310-2N3439-CT

2020/3/31 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 商品及供应商介绍 - R1 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】适用于大电流应用中的CP390-CDM4-600LR增强型N沟道MOSFET，反向击穿电压高达600V

CP390-CDM4-600LR是美国Central Semiconductor公司推出的一个经典款增强型N沟道MOSFET，它是一款MOSFET裸片产品，可根据客户的实际需求进行定制生产。该款MOSFET管芯主要是针对大电流需求的应用电路，而设计生产。其耐浪涌电流冲击性较强，耐受压能力极强，可保证器件的工作性能稳定。可出色的应用在快速且高响应频率的电路应用中，温度特性也相当不错。

2018-11-05 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】集成驱动器的N沟道功率MOSFET XTR20410系列，支持工作温度范围远超于-60℃~+230℃

EASII IC推出的一系列极为灵活的N沟道功率MOSFET XTR20410，器件集成驱动器，专为DC/DC转换器，电机控制和电源切换应用等具有极端可靠性和高温要求的应用而设计。器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本并易于采用。器件支持可靠的SMD及通孔外壳封装，也可提供裸片。