【产品】14W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F，为射频功率应用提供了通用的宽带解决方案
UMS公司推出了一款功率为14W 的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。CHK8013-99F采用0.25μm栅极长度的GaN HEMT技术。器件建议采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。
CHK8013-99F功率晶体管在环境温度为25℃，脉冲工作模式，Freq=6GHz，VDS=30V，ID_Q=0.18A情况下，小信号增益为17dB，饱和输出功率的典型值为14W，最大功率附加效率典型值为70%。同时，该晶体管储存温度范围在-55到150℃之间，最高结温为230℃，可以保证在温度苛刻的工作环境也能实现可靠性。另外，CHK8013-99F采用裸芯形式，芯片尺寸为0.9x1.2x0.1mm，需要外部匹配电路。并且该款晶体管符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范。
图1 CHK8013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管外形图
主要功能：
· 高达 10GHz的宽带能力
· 脉冲和 CW 工作模式
· GaN 技术：高输出功率，高功率附加效率
· 直流偏置：VD 高达 30V
· 芯片尺寸：0.9x1.2x0.1mm
· 符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由陈俊涛翻译自UMS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。
【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，具有所有GaN关键优势，高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式，为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案，非常适用于雷达和通信等领域中。
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
|
产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
型号- RC65D270E SERIES,RC65D270E
RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- RC65D600E,RC65D600E SERIES
2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- 2KK8007NEDFN
RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。
型号- RC65D270B,RC65D270B SERIES
2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- 2KK8005NEDFN
CE65H270DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的650V GaN HEMT（氮化镓场效应晶体管）产品CE65H270DNCI。这款器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，相比传统硅器件在效率上有显著提升。它适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- CE65H270DNCI,CE65H270DNCI SERIES
CE65H160DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料介绍了Corenergy公司的650V GaN HEMT（氮化镓场效应晶体管）产品CE65H160DNCI。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度和较低的动态导通电阻，提供比传统硅器件更高的效率。它适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。
型号- CE65H160DNCI SERIES,CE65H160DNCI
CE65H270DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
描述- CE65H270DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管，具有低导通和开关损耗，适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- CE65H270DNDI,CE65H270DNDI SERIES
【产品】UMS推出采用0.15µm GaN HEMT技术设计的GaN X波段HPA，频率范围8-12GHz
UMS推出0.15µm GaN HEMT专有技术设计的GaN X波段HPA CHA8312-99F，其输出功率为17W、PAE高达50%。这款8-12GHz高功率放大器还具有26dB出色的线性增益。该芯片的另一个优点是它完美适用于众多应用，如国防、雷达、测试设备和通信。
CE65H160DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
描述- CE65H160DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管，具有低导通和开关损耗，适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
型号- CE65H160DNDI,CE65H160DNDI SERIES
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
拥有中等规模的SMT、DIP以及成品组装产线；支持PCBA及成品OEM/ODM代工组装制造；在嵌入式系统、物联网系统等具备专业性量产制造的项目组织和服务能力。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论