【产品】14W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F，为射频功率应用提供了通用的宽带解决方案

时间： 2020-03-11 来源：UMS

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UMS公司推出了一款功率为14W 的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。CHK8013-99F采用0.25μm栅极长度的GaN HEMT技术。器件建议采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。

CHK8013-99F功率晶体管在环境温度为25℃，脉冲工作模式，Freq=6GHz，VDS=30V，ID_Q=0.18A情况下，小信号增益为17dB，饱和输出功率的典型值为14W，最大功率附加效率典型值为70%。同时，该晶体管储存温度范围在-55到150℃之间，最高结温为230℃，可以保证在温度苛刻的工作环境也能实现可靠性。另外，CHK8013-99F采用裸芯形式，芯片尺寸为0.9x1.2x0.1mm，需要外部匹配电路。并且该款晶体管符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范。

图1 CHK8013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管外形图

主要功能：

· 高达 10GHz的宽带能力

· 脉冲和 CW 工作模式

· GaN 技术：高输出功率，高功率附加效率

· 直流偏置：VD 高达 30V

· 芯片尺寸：0.9x1.2x0.1mm

· 符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范

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矫情 Lv4. 资深工程师 2022-05-10

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