【产品】14W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F，为射频功率应用提供了通用的宽带解决方案

RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件，通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻，提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。

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RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。

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2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了650V氮化镓（GaN）HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。

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RC65D600E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了RealChip公司生产的650V GaN HEMT器件RC65D600E。该系列产品采用氮化镓（GaN）技术，具有低导通电阻、快速开关速度和较低的门极电荷等特点，适用于汽车、适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机以及工业等领域。

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氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺

该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。

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2KK8005NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管

本资料介绍了650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的特性及应用。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和开关损耗，适用于快速充电器、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。

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CE65H270DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书

CE65H270DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管，具有低导通和开关损耗，适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。

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0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺

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CHK015A-qia15w功率封装晶体管SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管

该资料介绍了名为CHK015A-QIA的15W功率封装晶体管。这款器件采用氮化镓HEMT工艺制造，适用于多种射频功率应用，包括雷达和电信。其主要特点是宽带能力（高达6GHz）、高功率（大于15W）和高效率（最高达70%）。此外，它还具有低成本塑料封装、低寄生元件和低热阻等特点。

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CE65H160DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书

CE65H160DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管，具有低导通和开关损耗，适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。

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