【应用】鲁晶提供2.6mΩ SGT MOSFET产品,助力提高锂电保护板、电动工具等应用功率密度

2023-06-07 鲁晶
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MOSFET大致分类:平面型MOSFET;Trench MOSFET沟槽型MOSFET),主要用于低压领域;SGT MOSFET(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽MOSFET),主要用于中压和低压领域;SJ-MOSFET超结MOSFET),主要在高压领域应用。


SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应,在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下,器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度,可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量,所以SGT在雪崩时可以做得更好,更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源,电机控制,动力电池系统等应用领域中,SGT MOSFET配合先进封装,非常有助于提高系统的效能和功率密度。


提升SGT技术优势:

功率密度

SGT结构相对传统的Trench结构,沟槽挖掘深度深3-5倍,可以横向使用更多的外延体积来阻止电压,显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance),例如相同的封装外形TO-252或TO-263封装,采用SGT芯片技术,可以得到更低的导通电阻。


鲁晶SGT MOSFET产品在锂电保护控制板中的应用为例:

1、如下图锂电保护控制板①处所示

鲁晶采用SGT工艺研发,在①处可放置LJM90N03TLJM120N03TLJM80N06T等鲁晶MOS管

2、如下图锂电保护控制板②处所示

串联结构下,可采用23023400等MOS型号。


鲁晶SGT MOSFET产品参数如下:

VGS=10V时,RDS(ON)=2.6mΩ(典型值);

低栅极电荷、低Crss、快速切换、额定极限dv/dt、100%雪崩测试、无铅电镀、符合RoHS。


应用领域:

锂电保护

扫地机器人

吸尘器

无线充电

吸拖洗一体拖把

户外储能

移动电源

LED电源


鲁晶MOS管产品详细介绍:

SLD120N03T

更多详细参数介绍请参考: SLD120N03T 30V N -Channel MOSFET


LJ3400

更多详细参数介绍请参考: LJ3400 SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

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