【经验】怎么选型和设计IGBT驱动电路的门级开通和关断电阻

2018-09-13 ISABELLENHUETTE
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IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心,IGBT需要专用的驱动芯片进行开通和关断,一般开通电压为+15V,关断电压为-10V,而开通和关断需要消耗功率和电流,开通和关断门级电阻必不可少。因为一些寄生电感和寄生电容的作用,门极回路会产生振荡,另外IGBT的关断速度会影响Vce的电压应力,开通速度会影响续流二极管的电压应力以及IGBT自身的电流应力,这些问题都可以通过调节门极电阻来解决,那怎么选型IGBT驱动电路设计中的门级开通和关断电阻?


为了实现IGBT的通断,需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on,以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。通常情况下,IGBT的驱动电路原理如图1所示,IGBT的开通电压为+15V,关断电压为-10V,输入驱动PWM信号通过门级电阻RG进行IGBT的开通和关断。

图1 IGBT的驱动电路原理图


在变频器设计中,牵引逆变器主电路直流母线电压为1500V,选用功率器件IGBT必须满足2倍母线电压以上,因此选用CE电压为3300V/1500A的IGBT,驱动核选用PI公司的2SC0535T2A1-33作为IGBT的驱动使用,电路原理如图2所示。


图2 IGBT的驱动芯片电路


通过IGBT驱动芯片电路可以发现,驱动核通过门级电阻Rgon进行IGBT的开通,通过门级电阻Rgoff进行IGBT的关断,因此必须计算和选型合适的开通和关断门级电阻实现IGBT的开关。如果门级电阻选择过大,但驱动板的驱动电源功率不够,会引起门极驱动信号振荡;如果门级电阻选择过小,会引起IGBT承受短路过流能力下降,引起关断电压尖峰。


接下来详细介绍IGBT的门级开通和关断电阻的计算和选型:

1、IGBT开通和关断电压选择

在IGBT导通时,为了降低其通态损耗,通常会使其工作在深度饱和状态。这要求IGBT的门极驱动电压比实际的阈值电压高出很多,通常我们会选择门极开通电压为+15V,以降低Vce_on。由于IGBT栅极与发射极之间存在高dv/dt 和寄生电容,因而在栅极引脚处会产生一些电压尖峰,该电压尖峰可能触发下桥IGBT 的误导通,在门极驱动施加负压有利于IGBT的可靠关断,通常设置门极关断电压为-10V。


2、IGBT开通和关断电阻选择

至于门极电阻怎样计算,一般是参考IGBT说明书给定的参考值,选择参考值附近的电阻,然后通过计算门级电阻功率否在合理范围内。通过IGBT手册可以得知,推荐使用门级开通电阻Rgon为1Ω,门级关断电阻Rgoff为1.5Ω。考虑实际电路寄生电感,选用系数1.2~1.5倍,因此实际选用进行IGBT的开通电阻Rgon为1.3Ω,门级关断电阻Rgoff为2.5Ω。


图3 IGBT驱动电阻手册

3、IGBT开通和关断电阻功率选择

门极电压在两种电平(+15V和-10V)转换过程中,在门极驱动电阻和功率器件组成的回路中会产生损耗,这就要求相应的驱动功率来满足。选用门级电阻功率时,一般驱动功率最小应大于5W,以免电阻发热,影响寿命和精度。


最后根据IGBT的门级开通和关断电阻的计算,接下来选择厂家和型号。ISABELLENHUETTE总部位于德国, 1889年在全球最早研制出Manganin锰镍铜电阻合金,1987年生产出世界第一片表面贴装毫欧姆检流电阻器,目前是世界先进的精密微阻值电阻制造厂商。因此从ISABELLENHUETTE的功率电阻产品中选用一款适合IGBT驱动用的门级电阻。

图4 ISABELLENHUETTE的功率电阻参数


从ISABELLENHUETTE的产品参数表中可以看出型号有很多,按照IGBT开通和关断电阻的参数要求,选择IGBT开通门级电阻型号为VMS-R005-1.0-U,其中采用4个并联,电阻值达到1.25Ω,功率达到12W;选择IGBT关断门级电阻型号为VMS-R010-1.0-U ,其中采用4个并联,电阻值达到2.5Ω,功率达到12W;完全满足项目中IGBT开通和关断电阻的设计要求。而且此电阻精度1%,电阻并联能够减少寄生电感,增加电路精度,减小了IGBT驱动过程带来的风险。

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全部评论(4

  • hozamon Lv6 高级专家 2018-11-08
    有BLDC的应用电路
  • Nicholas Lv7. 资深专家 2018-11-06
    学习一下,支持
  • 有容乃大 Lv9. 科学家 2018-09-26
    学习了,东西不错,支持,力挺 。
  • 用户56731903 Lv9. 科学家 2018-09-13
    很详细的资料!!!
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

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