【产品】500V/13A的国产N沟道功率MOSFET，采用先进平面条纹DMOS技术

时间： 2021-01-05 来源：美浦森

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SLP13N50C、SLF13N50C两款500V N沟道功率MOSFET，采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术，该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

SLP13N50C、SLF13N50C的栅极电荷低，典型值仅44nC，开关速度快，典型漏源导通电阻仅386mΩ（@V_GS=10V, I_D=6.5A），非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

特点

· 连续漏极电流（T_C=25℃）：13A

· 漏源电压：500V

· 静态漏源导通电阻典型值：386mΩ@V_GS=10V

· 低栅极电荷（典型值44nC）

· 高鲁棒性

· 开关速度快

· 100%雪崩测试

· 提高的dv/dt能力

封装和电路图

极限值（T_C=25℃，除非另有说明）

热特性

关断和导通特性（T_C=25℃，除非另有说明）

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