【产品】1200V/20A采用低VCE(sat)沟道IGBT技术的RC-IGBT RI20N1200TT
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RI20N1200TT是一款由丽正国际推出的IGBT芯片,其可以提供超低的传导损耗以及极低的开关损耗。 集电极-发射极电压1200V,集电极电流高达20A(TC=100℃)。其专为电磁炉、感应加热设备等应用而设计。
图1 电气原理图及其封装形式
RC-IGBT RI20N1200TT产品特征:
低VCE(sat)沟道IGBT技术
低开关损耗
最高结温175°C
低电感
具有正温度系数的VCE(sat)
无铅封装
RC-IGBT RI20N1200TT典型应用:
电磁炉
感应加热设备
除非另有说明,否则测试环境为:TC= 25°C
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丽正国际分立器件选型表
丽正国际 - 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DV,SR30200CEV,MUR168
【应用】迈来芯红外温度传感器MLX90614ESF-BCK-000-SP助力电磁炉设计,最高物体测量温度可达380℃
对于电磁炉,其中最核心的器件当属红外温度传感器,烧水做菜对温度把控的要求很高,传感器能够测量的温度越高,精度越准,用户的使用感便越好,本文讲述迈来芯的温度传感器MLX90614ESF-BCK-000-SP在电磁炉中的使用优势。
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品牌:丽正国际
品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格:¥0.1576
现货: 5,000
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