【技术】一文解析MOS管的驱动
本文中时科将为大家解析MOS管的驱动。在进行驱动电路设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。驱动电路的好坏直接影响了电源的工作性能及可靠性，一个好的MOSFET驱动电路的基本要求是：
开关管导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使栅源电压上升到需要值，保证开关管快速开通且不存在上升沿的高频震荡。开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源间电压保持稳定使其可靠导通。
关断瞬间驱动电路能提供一个低阻抗通路供MOSFET栅源间电压快速泻放，保证开关管能快速关断。关断期间驱动电路可以提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通。驱动电路结构尽量简单，最好有隔离 。
POWER MOSFET驱动保护
POWER MOSFET驱动电阻的影响
驱动电阻增大，驱动上升变慢，开关过程延长，对EMI有好处，但是开关损耗会增大，因此选择合适的驱动电阻很重要。
几种常见的MOSFET驱动电路
不隔离互补驱动电路
由于MOSFET为电压型驱动器件，当其关断时，漏源两端的电压的上升会通过结电容在栅源两端产生干扰电压，如图所示的电路不能提供负电压，因此其抗干扰性较差，有条件的话可以将其中的地换成-Vcc，以提高抗干扰性及提高关断速度。
隔离驱动电路
该驱动电路的导通速度主要与被驱动S1栅源极等效输人电容的大小、Q1的驱动信号的速度以及Q1所能提供的电流大小有关。
优点：
电路简单，并实现了隔离驱动。
只需单电源即可提供导通时的正电压及关断时的负电压。
占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。
缺点：
由于变压器副边需要一个较大的防振荡电阻，该电路消耗比较大。
当占空比变化时关断速度变化加大。 脉宽较窄时，由于储存的能量减少导致MOSFET关断速度变慢。
优点：
电路简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。
该电路只需一个电源，隔直电容C的作用在关断时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，有较高的抗干扰能力。
缺点：
输出电压幅值会随着占空比变化而变化。当D较小时，负电压较小，抗干扰能力变差，同时正向电压高，应注意不要超过栅源允许电压;当D大于0.5时，正向电压降低，负电压升高，应注意使其负电压不要超过栅源允许电压 。
此时副边绕组负电压值较大，稳压二极管Z2的稳压值为所需的负向电压值，超过部分电压降在电容C2上。
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