【产品】短路耐受时间8μs的650V/50A的IGBT，助力通用变频器及汽车应用领域

时间： 2019-11-08 来源：ROHM

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绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。

罗姆(ROHM的MG7102WZ为一款650V，50A的IGBT器件，其具有较低的集电极-发射极饱和电压，广泛应用于通用变频器、汽车和工业用途、汽车加热器等领域。

图1 产品原理图

图2 极限电气参数

图3 电气参数表

MG7102WZ IGBT特征

低集电极-发射极饱和电压

短路耐受时间8μs

MG7102WZ IGBT应用

通用变频器

汽车和工业用途

汽车加热器

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