基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖

时间： 2019-10-27 来源：基本半导体

技术问答

2019年10月25日，第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办，现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果，基本半导体车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）荣获优秀技术创新产品奖。“中国芯”是国内集成电路产业的最高荣誉，被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。

基本半导体本次获奖的车规级全碳化硅功率模块，内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。碳化硅MOSFET采用了最新的设计生产工艺，在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到业内领先水平。单模块采用半桥拓扑结构，200A输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量，降低系统设计难度，提升系统可靠性，并使用了业内主流的单面水冷散热形式，为高效电机控制器设计提供便利。

基本半导体车规级全碳化硅功率模块

车规级全碳化硅功率模块主要为新能源汽车应用设计，提升动力系统逆变器转换效率、缩小体积、降低重量，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。今年9月，青铜剑科技联合基本半导体发布了基于上述车规级全碳化硅功率模块的新能源汽车电机控制器解决方案，可实现最大功率150kW@800Vdc，最大工作开关频率100kHz，输入电压范围300～800Vdc，三相输出电流240A，功率密度达30kW/L。

基于车规级全碳化硅功率模块的新能源汽车电机控制器解决方案

基本半导体由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立，专注于碳化硅功率器件的研发与产业化，是中国第三代半导体行业领军企业。

基本半导体自主研发的650V~1200V/2A~40A全电流电压等级碳化硅二极管、首款国产工业级1200V碳化硅MOSFET系列产品已实现量产并推向市场，车规级全碳化硅功率模块已完成首批工程样品并联合国内一线主机厂开展测试，性能均达到国际先进水平，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。

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小凡 Lv4. 资深工程师 2019-12-04

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心暖与我安 Lv5. 技术专家 2019-11-26

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一哇卡 Lv4. 资深工程师 2019-11-19

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木chen Lv8. 研究员 2019-11-19

缩小体积、降低重量是较大优势
Roonie Lv7. 资深专家 2019-11-18

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Ogic Lv4. 资深工程师 2019-11-16

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crystal529 Lv5. 技术专家 2019-11-14

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用户_0410 Lv4. 资深工程师 2019-11-12

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乐平 Lv7. 资深专家 2019-11-11

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gshen Lv8. 研究员 2019-11-08

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