【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K
WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方（CETC）推出的两款35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻80 mΩ，工作结温最高可达175℃。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。其优势在于系统效率更高，对散热冷却需求低。两款产品的差别在于封装形式，WM1A080120B以裸片形式提供，尺寸为3.0×4.5 mm²。而WM1A080120K封装为TO-247-3，具体可参照下图，用户可根据使用需求选择。两款产品均可应用于光伏逆变器、高压DC/DC转换器、电机驱动、开关电源、脉冲功率应用等领域。
图1. WM1A080120B产品尺寸信息
图2. WM1A080120K产品尺寸信息
特性:
阻断电压高，导通电阻低
高速开关，电容低
容易并联，驱动简单
优势：
系统效率更高
冷却需求低
功率密度高
系统开关频率高
应用领域：
光伏逆变器
高压DC/DC转换器
电机驱动
开关电源
脉冲功率应用
最大额定值：
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