【产品】采用超高密度单元设计的N沟道先进功率MOSFET,漏源导通电阻典型值仅10mΩ
深圳市锐骏半导体推出的一款N沟道先进功率MOSFET—RU6050L,该器件采用超高密度单元设计,可靠性高、坚固耐用,漏源导通电阻典型值仅10mΩ@VGS=10V、IDS=50A,适合应用在DC/DC转换器和离线UPS中 。
图1.产品封装与管脚排列
产品特性
l 60V/50A
RDS (ON) =10mΩ(Typ.)@VGS=10V
l 超高密度单元设计
l 超低导通电阻
l 100%雪崩测试
l 无铅、绿色环保器件,符合RoHS标准
绝对最大额定值
电气参数(Tc=25℃,除非另外标注)
标注:
1. 在最大允许结温条件下计算连续电流。
2. 脉冲宽度限制在安全运行区域
3. 测试受限于最大结温,开始测试结温TJ=25℃,IAS =20A, VDD =48V, RG = 50Ω
4. 脉冲测试,宽度≤300µs,占空比小于≤2%
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锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET:Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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电子商城
服务
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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