【产品】单相12V MOSFET栅极驱动器LP1111A,可降低开关损耗,瞬态电压高达40V

2022-11-17 微源半导体
MOSFET栅极驱动器,LP1111A,LP1111ASOF,LP1111AQVF MOSFET栅极驱动器,LP1111A,LP1111ASOF,LP1111AQVF MOSFET栅极驱动器,LP1111A,LP1111ASOF,LP1111AQVF MOSFET栅极驱动器,LP1111A,LP1111ASOF,LP1111AQVF

LP1111A微源半导体推出的单相12V MOSFET栅极驱动器,经优化适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率MOSFET的栅极。


在宽工作电压范围内,可以优化高压侧或低压侧MOSFET栅极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应非重叠电路可通过防止两个MOSFET同时导通,进一步降低了开关损耗。 


浮顶驱动器设计可以承受高达35V的VBST电压,瞬态电压高达40V。通过向EN使能引脚施加低逻辑电平,可以将两个栅极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保在电源电压较低时两个驱动器输出均为低电平,并且热关断功能可为IC提供过热保护。


产品特性:

一体式同步降压驱动器

高端驱动自举

一个PWM信号产生两个驱动信号

防交叉传导保护电路

提供SOP8和TDFN8封装


应用:

多相台式机CPU电源

单电源同步降压转换器


典型应用电路:


标识信息:


内部功能框图:


电气特性:

(除另有注释,默认VCC=12V,TA=25℃)


产品订购信息:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- OC3001

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型号- LP1110□□□,LP1110

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

大电流低功耗变压器定制

可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。

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