【产品】基于UnitedSiC专有共源共栅配置的1200V高性能碳化硅MOS管UF3C系列
碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列1200 V高性能碳化硅FET，与现有的UJC3系列相比，FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。该新系列基于UnitedSiC的专有共源共栅配置，提供了更高的开关速度。UF3C FAST系列以UnitedSiC的Gen-3 SiC晶体管技术为基础，将更快的SiC JFET与定制设计的Si-MOSFET集成在一起，以实现常关操作，高性能体二极管和易于栅极驱动MOSFET的理想组合。 与其他宽带隙技术相比，SiC共源共栅器件支持标准的12 V栅极驱动，并确保了雪崩防护等级（100％经过生产测试）。UF3C系列1200V碳化硅MOS管的型号及参数如下图1。
图1 UF3C系列1200V碳化硅MOS的型号及参数
TO-247-4L封装采用了开尔文（Kelvin）封装，避免了栅极振铃和错误触发，从而可以避免降低开关速度，以管理3引线封装的大型公共源电感。 4引脚开尔文连接套件可提供175°C的最高工作温度，出色的反向恢复，低栅极电荷以及高达2倍的更低开关损耗。UF3C系列1200V碳化硅MOS的封装图如下图2。
图2 TO-247-3L和TO-247-4L的外形封装图
UF3C系列1200V碳化硅MOS器件非常适用于电动汽车（EV）充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正（PFC）模块、电机驱动和感应加热（induction heating）等应用。此系列可以为大多数TO-247-3L/4L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了“嵌入式”替代解决方案，可以在不更改现有栅极驱动电路的情况下升级系统以提高性能和效率。
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