【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KE,采用TO-247N封装,可用于太阳能逆变器等领域
罗姆(ROHM)半导体集团是全球最著名半导体厂商之一,其产品具有很好的品质保证,涉及多个领域,其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
最近罗姆(ROHM)公司最近推出了一款TO-247N封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4036KE,该产品采用无铅电镀,符合RoHS标准。驱动电路简单,易于并联使用,可用于太阳能逆变器,DC/DC转换器,开关电源,感应加热和电机驱动。
产品外观和内部电路图
特点:
低导通电阻
开关速度快
反向恢复快
易于并联
驱动简单
无铅电镀;符合RoHS标准
应用:
太阳能逆变器
DC/DC转换器
开关电源
感应加热
电机驱动
最大额定参数(TC=25℃):
电气特性(Tvj=25℃,除非特别说明):
热阻:
典型瞬态热特性:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由小背篓翻译自ROHM,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】1200V/24A N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR,具有低导通电阻特性,可应用于太阳能逆变器
ROHM公司推出的N沟道SiC功率MOSFET SCT3105KR,其采用TO-247-4L封装,具有低导通电阻、开关速度快与快速反向恢复等特征,且易于驱动,符合RoHS标准,可应用于太阳能逆变器,DC / DC转换器、开关电源、感应加热、电机驱动等应用领域。
【产品】采用无铅电镀的N沟道SiC功率MOSFET SCT4013DR,驱动电路简单,易于并联使用
罗姆(ROHM)最近推出了一款TO-247-4L封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4013DR,该产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,驱动电路简单,易于并联使用,可用于太阳能逆变器,DC/DC转换器,开关电源,感应加热和电机驱动。
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4018KR,采用TO-247-4L封装,符合RoHS标准
罗姆(ROHM)公司推出了一款采用TO-247-4L封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4018KR,该产品采用无铅电镀,符合RoHS标准。驱动电路简单,易于并联使用,可用于太阳能逆变器,DC/DC转换器,开关电源,感应加热和电机驱动。
【产品】1200V/43A SiC功率MOSFET裸片S4603,静态漏源导通电阻仅36mΩ
S4603是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片;在Tvj=25℃条件下,RDS(on)典型值仅为36mΩ(VGS=18V, ID=21A);可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。
SCH2080KE N沟道SiC功率MOSFET与SiC SBD共封装数据表
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCH2080KE型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件是一款N通道碳化硅(SiC)功率MOSFET,与SiC二极管共封装。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和反向恢复时间,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCH2080KE
SCT4018KR N沟道SiC功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT4018KR型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复时间等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT4018KR
SCT3080KL N沟道SiC功率MOSFET数据表
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT3080KL N沟道碳化硅(SiC)功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT3080KL
SCT2H12NZ N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT2H12NZ型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度等特点,适用于辅助电源和开关模式电源等领域。
型号- SCT2H12NZ
S4103 N沟道SiC功率MOSFET裸片数据表
描述- 本资料为ROHM公司生产的S4103型号碳化硅(SiC)功率MOSFET裸片型器件的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- S4103
SCT3105KR N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT3105KR型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT3105KR
SCT3105KR N沟道SiC功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT3105KR型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT3105KR
SCT2280KE N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT2280KE型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复时间等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT2280KE
SCT4036KR N沟道SiC功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT4036KR型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复时间等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT4036KR
SCT3080KR N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT3080KR型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT3080KR
SCT4013DR N沟道SiC功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCT4013DR型SiC功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCT4013DR
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论