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200V/18A的硅N沟道增强型VDMOSFET SL18N20，高效功率开关解决方案
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UT4414 N沟道增强型场效应晶体管功率MOSFET
描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的UT4414型号N沟道增强型场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用 trench 技术提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。具有30V的断态电压、8.5A的连续漏极电流，适用于负载开关或PWM应用。
型号- UT4414L-S08-R,UT4414L-TN3-R,UT4414G-S08-R,UT4414,UT4414G-TN3-R
YJG2D4G03AF N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJG2D4G03AF型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、热阻、封装信息以及典型应用。该产品适用于功率开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。
型号- YJG2D4G03AF
SLKOR MOSFET选型表
SLKOR提供以下参数的MOSFET选型,Vᴅss(V):-60~650,Vɢs(V):±8~±30,Iᴅ@Tᴄ=25℃(A):-70~100及多种不同的封装方式,如:SOT-23,SOP-8和TO-252-3不等
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产品型号
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品类
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N/P
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Vᴅss(V)
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Iᴅ@Tᴄ=25℃(A)
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Pᴅ@Tᴄ=25℃(W)
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Vɢs(V)
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Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=4.5V)
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Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=2.5V)
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Package
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SL2333A
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MOSFET
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P
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-12
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-6
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1.2
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±8
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40
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50
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SOT-23
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选型表 - SLKOR 立即选型
YJG4D4G04AQ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJG4D4G04AQ型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、应用领域、电气特性、热阻参数、封装信息等。该产品适用于功率开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力等特点。
型号- YJG4D4G04AQ
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型号- YJL3099AJ
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型号- YJD35N06A
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型号- YJB7D2G06AHQ
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型号- YJL3400AQ
YJD80N03A N沟道增强型场效应晶体管
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型号- YJD80N03A
YJQ018N06AQ N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJQ018N06AQ型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、应用领域和封装信息。该产品适用于功率开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热散性。
型号- YJQ018N06AQ
YJL03N06C N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJL03N06C型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 trench 功率LV MOSFET技术，具有高速度开关特性。其主要参数包括漏源电压60V、电流3A、导通电阻小于80mΩ，适用于电源切换应用。
型号- YJL03N06C
【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。
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品牌：SLKOR
品类：N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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