【产品】N沟道功率MOSFET JMSH1008AC/JMSH1008AE漏源电压为100V，脉冲漏极电流356A

2022-06-14 捷捷微电
N沟道功率MOSFET,JMSH1008AC,JMSH1008AE,JMSH1008AE-13 N沟道功率MOSFET,JMSH1008AC,JMSH1008AE,JMSH1008AE-13 N沟道功率MOSFET,JMSH1008AC,JMSH1008AE,JMSH1008AE-13 N沟道功率MOSFET,JMSH1008AC,JMSH1008AE,JMSH1008AE-13

JMSH1008AC/JMSH1008AE是捷捷微电推出的一款N沟道功率MOSFET，分别采用TO220-3L/TO263-3L封装的，具有超低漏源通态电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性。该器件漏源电压为100V，栅源电压为±20V。

产品外观和示意图


产品特点：

    超低漏源通态电阻

    低栅极电荷

    高电流能力

    100% UIS测试和100% Rg测试


产品应用：

    电信、工业自动化、CE中的电源管理

    DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流开关

    电动工具、电动汽车、机器人中的电机驱动


绝对最大额定参数（TA=25℃，除非另有说明）：

主要电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）：

热性能：

订购信息：

技术顾问：瓦力
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道：世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供：世强硬创平台www.sekorm.com
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