【产品】50V~1000V的玻璃钝化桥式整流器DB151~DB157系列,具有低正向压降,高电流能力
DB151~DB157系列是合科泰电子推出的一款玻璃钝化桥式整流器,该系列型号包括:DB151、DB152、DB153、DB154、DB155、DB156、DB157。该系列器件采用DB封装,其塑料材质具有UL可燃性等级94V-0。该系列器件具有低正向压降,高电流能力的特点,是印刷电路板的理想选择。最大额定值和电气特性方面,DB151~DB157系列最大反向重复峰值电压为50V~1000V,最大平均正向整流电流均为1.5A(@TA=40℃),最大正向电压为1.1V(@2.0A DC)。该系列器件的产品外形及尺寸如下图所示。
特点:
● 额定值高达1000V PRV
● 是印刷电路板的理想选择
● 低正向压降,高电流能力
● 塑料材质具有UL可燃性等级94V-0
最大额定值和电气特性
25°C环境温度下的额定值,除非另有说明。单相、半波、60Hz、阻性或感性负载。对于容性负载,电流降额20%
注:1.在1.0MHz和施加4.0V DC的反向电压下测量。
2.结到环境的热阻,安装在带有0.5*0.5"(13*13mm)铜焊盘的P.C.B上。
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产品型号
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品类
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VRM (V)
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Io_Max(A)
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IFSM_Max(A)
|
Rated lo(A)
|
VF_Max(V)
|
IR@25℃IR(uA)
|
IR@125℃IR(uA)
|
RθJA(℃/W)
|
Tj(℃)
|
应用等级
|
G1AQ
|
整流二极管
|
50
|
1
|
30
|
1
|
1.1
|
5
|
100
|
85
|
-55~+175
|
车规
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
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产品型号
|
品类
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封装形式
|
沟道类型
|
漏源电压 VDS(V)
|
栅源电压 VGS±(V)
|
连续漏极电流 ID(A)
|
漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
|
栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
|
棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
|
耗散功率 PD(mW)
|
9435
|
P沟道MOSFET
|
S0P-8
|
p
|
-30
|
-20
|
-5
|
0.053
|
-1
|
-3
|
2500
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子NPN晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型:集电极基极电压VCBO(V):20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V):12~800V、集电极电流Ic(mA):20~6000mA、放大倍数(最小)HFE(MIN):10~10K、放大倍数(最大)HFE(MAX):40~3200、耗散功率PD(mW):100~2000mW等
产品型号
|
品类
|
封装形式
|
沟道类型
|
集电极基极电压VCBO(V)
|
集电极-发射极电压VCEO(V)
|
发射极-基极电压VEBO(V)
|
集电极电流Ic(mA)
|
放大倍数(最小)HFE(MIN)
|
放大倍数(最大)HFE(MAX)
|
耗散功率PD(mW)
|
2SC1162
|
NPN晶体管
|
TO-126
|
NPN
|
35
|
35
|
5
|
2500
|
60
|
320
|
750
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
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产品型号
|
品类
|
封装形式
|
沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
|
集电极-发射极电压VCEO(V)
|
发射极-基极电压VEBO(V)
|
集电极电流Ic(mA)
|
放大倍数(最小)HFE(MIN)
|
放大倍数(最大)HFE(MAX)
|
耗散功率PD(mW)
|
2SA1015
|
PNP晶体管
|
SOT-23
|
PNP
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-50
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-50
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-5
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-150
|
130
|
400
|
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|
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产品型号
|
品类
|
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)/V
|
Maximum average forward rectified current (IF_AVG)/A
|
Typical thermal resistance (RθJA)/ °C/W
|
Peak forward surge current by JEDEC Method (IFSM)/A
|
Maximum DC reverse current@25°C (IR)/uA
|
Maximum instantaneous forward voltage (VF)/V
|
Maximum forward current/A
|
Maximum reverse recovery time (tRR)/uS
|
Package Type
|
FM401
|
整流二极管
|
50
|
1
|
75
|
30
|
5
|
1.1
|
1
|
–
|
SMA
|
选型表 - AIT 立即选型
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产品型号
|
品类
|
Package
|
VRWM(V)
|
IO (A)
|
IFSM Max.(A)
|
IR Max.(μA)
|
VFM Max.(V)
|
Part Status
|
ABS10
|
桥式整流器
|
ABS
|
1000
|
0.8
|
30
|
5
|
1.1
|
Active
|
选型表 - SMC 立即选型
合科泰电子 N沟道 MOSFET选型表
合科泰电子提供N沟道MOSFET以下参数选型,漏源电压16V~100V,连续漏极电流0.1A~150A
产品型号
|
品类
|
封装形式
|
沟道类型
|
漏源电压 VDS(V)
|
栅源电压 VGS±(V)
|
连续漏极电流 ID(A)
|
漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
|
栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
|
棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
|
耗散功率 PD(mW)
|
2N7002
|
N沟道MOSFET
|
SOT-23
|
N
|
60
|
20
|
0.115
|
5
|
1
|
2.5
|
150
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
DB151S~DB157S BRIDGE RECTIFIER 50V TO 1000V REVERSE VOLTAGE, 1.5A FORWARD CURRENT
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产品型号
|
品类
|
封装形式
|
直流反向电压 VR(V)
|
正向电流 IF(A)
|
正向浪涌电流 IFSM(A)
|
反向电流 IR(μA)
|
正向电压 VF(V)
|
10MQ100N
|
肖特基二极管
|
SMA(DO-214AC)
|
100
|
2.1
|
30
|
0.5
|
0.85
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
DY 桥式整流器选型表
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产品型号
|
品类
|
Family
|
Package
|
VRRM (V)
|
IF(AV) (A)
|
IFSM(A)
|
VF (V)
|
IR (μA)
|
TJ Max. (°C)
|
MB05M
|
标准桥式整流器
|
Standard
|
MBM
|
50
|
0.8
|
30
|
1
|
5
|
150
|
选型表 - DY 立即选型
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS DB151S THRU DB157S
型号- DB153S,DB152S,DB155S,DB154S,DB151S,DB157S,DB156S
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产品型号
|
品类
|
V(DC)(V)
|
IF(A)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
VF IF(A)
|
IR(μA)
|
IR VR(V)
|
Package
|
LUM1B
|
BRIDGE RECTIFIERS
|
100
|
1
|
35
|
1.1
|
1
|
5
|
100
|
UMB
|
选型表 - 时科 立即选型
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产品型号
|
品类
|
封装形式
|
直流反向电压VR(V)
|
正向电流IF(mA)
|
正向浪涌电流IFSM(A)
|
反向电流IR(μA)
|
正向电压VF(V)
|
耗散功率PD(mW)
|
1N4148W
|
开关二极管
|
SOD-123
|
100
|
300
|
2
|
1
|
1.25
|
350
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS DB151 THRU DB157
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最小起订量: 1000 提交需求>
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