【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R010S，采用PDFN5*6封装，导通内阻小于1mΩ

时间： 2020-03-02 来源：美浦森

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美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN04R010S，是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管，采用PDFN5*6封装，具有导通电阻低、快速开关等特点。漏-源极工作电压额定值为40V，连续漏极电流的额定值为100A，上升时间的典型值是18.8ns，下降时间的典型值是44.1ns，总栅极电荷典型值是103.5nC。适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流器电路。

主要特性：

V_DS=40V

I_D=100A @ V_GS=10V

R_DS(ON)<1.0mΩ@ V_GS=10V

快速开关切换

100%雪崩测试

100% Rg（栅极电阻）测试

表1 最大额定值

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