【产品】规格为60V/3A的低压MOSFE SI2310，适用于低功率DC-DC转换器
合科泰(HKT)是一家专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业，其推出的一款低压MOSFET（N沟道）SI2310，采用SOT-23封装，具有超低导通电阻等特点，适用于低功率DC-DC转换器和负载开关等应用。TA=25°C时，其漏源电压为60V，连续漏极电流为3A，该产品的外形及原理示意图如下：
产品特点：
超低导通电阻：VDS=60V，RDS(ON)≤105mΩ@VGS=10V，ID=3A
适用于低功率DC-DC转换器应用
适用于负载开关应用
表面贴装器件
机械数据：
外壳:SOT-23封装
外壳材料：模压塑封，符合UL阻燃认证标准
阻燃等级：UL 94V-0
重量：0.008克(约)
最大额定值（TA=25°C，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非特别说明)：
note1：脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
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合科泰电子 N沟道 MOSFET选型表
合科泰电子提供N沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压16V~100V，连续漏极电流0.1A~150A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
|
栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
|
棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
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2N7002
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N沟道MOSFET
|
SOT-23
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N
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60
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20
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0.115
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5
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1
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2.5
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150
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
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