【产品】±20V/±3A N沟道和P沟道增强型功率MOSFET RM2003，采用SOT-23-6L封装

时间： 2019-10-24 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM2003是一款增强型功率MOSFET，包含一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的R_DS（ON）和极低的栅极电荷，互补MOSFET可用于形成电平移位的高变开关，并用于许多其他应用。在环境温度为 25°C时，RM2003的N沟道MOSFET可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±12V，可以承受的极限漏极连续电流为3A，结温和储存温度范围为-55~150℃,结到环境的热阻为156℃/W；RM2003的P沟道MOSFET可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±12V，可以承受的极限漏极连续电流为-3A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为156℃/W。RM2003采用SOT-23-6L封装，其引脚分布如图1所示。

图1 RM2003引脚分布

RM2003产品特性

•N沟道

VDS = 20V,ID =3A

RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V

RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=2.5V

•P沟道

VDS = -20V,ID = -3A

RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-4.5V

RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=-2.5V

•高功率和优秀的载流能力

•无铅产品

•表面贴装

•无卤素

•P / N后缀V表示符合AEC-Q101认证，例如：RM2003V

RM2003应用领域

•开关器件

RM2003订购信息

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