【产品】1200V/43A SiC功率MOSFET裸片S4603，静态漏源导通电阻仅36mΩ

时间： 2022-06-22 来源：ROHM

代理服务

技术支持

采购服务

S4603是罗姆（ROHM）推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片。在绝对最大额定值 (T_c=25℃^*1)方面，其漏源电压为1200V，脉冲漏极电流（V_GS=V_{GS_on}）为84A（PW≤10μs，占空比≤1%），等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。

该器件具有低静态漏源导通电阻，在T_vj=25℃条件下，其R_DS(on)（脉冲）典型值仅为36mΩ（V_GS=18V, I_D=21A）。该器件可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。其内部电路如图1所示。

图1 内部电路

特点：

•导通电阻低

•开关速度快

•反向恢复快

•易于并联

•驱动简单

应用：

•太阳能逆变器

•DC/DC转换器

•开关模式电源

•感应加热

•电机驱动

绝对最大额定值 (T_c=25℃^*1)

注释：

*1 受最大T_vj限制并假设R_t_hJC<0.85K/W

*2 PW≤10μs，占空比≤1%

*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%

*4 用作保护功能时，PW≤10μs

*5 可接受的V_GS波形示例

*6 请注意不要使用V_GS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由零点翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】漏源电压750V的N沟道SiC功率MOSFET裸片S4503，静态漏源导通电阻仅26mΩ

S4503是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片。在绝对最大额定值方面，其漏源电压为750V，连续漏极电流为56A，脉冲漏极电流为91A，等效结温为175°C，存储温度范围为-40°C~+175°C。

2022-06-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

ROHM罗姆LAPIS系列单片机的编程器FT200-ROHM系列烧录演示应用指南

本文介绍ROHM罗姆LAPIS系列单片机的编程器FT200-ROHM系列烧录演示应用指南

2024-04-20 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】具有非PCB液体浸渍剂的感应加热电容器KLS，设计用于50~10000Hz频率下运行的感应加热设备

KLS是ISKRA推出的感应加热电容器，KLS电容器采用聚丙烯薄膜和铝箔结构，具有非PCB液体浸渍剂。KLS电容器特别设计用于在50至10000Hz频率下运行的感应加热设备。

2023-01-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

S4103 N沟道SiC功率MOSFET裸片数据表

本资料为ROHM公司生产的S4103型号碳化硅（SiC）功率MOSFET裸片型器件的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。

ROHM - N-CHANNEL SIC POWER MOSFET BARE DIE,N沟道SIC功率MOSFET裸片,S4103,MOTOR DRIVES,感应加热,SOLAR INVERTERS,太阳能逆变器,DC/DC CONVERTERS,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,DC/DC转换器,模式电源开关,电动机驱动,INDUCTION HEATING

14.Jun.2018 - 数据手册 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务

S4502 N沟道SiC功率MOSFET裸片

本资料为ROHM公司生产的S4502型号碳化硅（SiC）功率MOSFET裸片型器件的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和反向恢复等特点，适用于太阳能逆变器、直流/直流转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等领域。

ROHM - N-CHANNEL SIC POWER MOSFET BARE DIE,N沟道SIC功率MOSFET裸片,S4502